DC电气特性（前/后辐射） *
(V
DD
= 5.0V
±
10％ ; -55°C <牛逼
C
＆ LT ; + 125°C ）
符号
V
IH
V
IL
V
OL
V
OL
V
OH
V
OH
C
IN 1
C
IO 1
I
IN
I
OZ
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
低电平输出电压
高电平输出电压
高电平输出电压
输入电容
双向I / O容量
输入漏电流
三态输出漏电流
（ CMOS）的
（ CMOS）的
I
OL
= 8毫安，V
DD
= 4.5V （ TTL）的
I
OL
= 200μA ，V
DD
= 4.5V （ CMOS）的
I
OH
= -4mA ，V
DD
= 4.5V （ TTL）的
I
OH
= -200μA ，V
DD
= 4.5V （ CMOS）的
ƒ
= 1MHz的@ 0V
ƒ
= 1MHz的@ 0V
V
IN
= V
DD
和V
SS
V
O
= V
DD
和V
SS
V
DD
= 5.5V
G = 5.5V
I
OS 2,3
输出短路电流
V
DD
= 5.5V, V
O
= V
DD
V
DD
= 5.5V, V
O
= 0V
I
DD
（ OP ）
4,5
电源电流操作（两个端口）
@ 22.2MHz
I
DD
（ OP ）
4,6
电源电流操作（单端口）
@ 22.2兆赫
I
DD
（ OP ）
4,5
电源电流操作（两个端口）
@ 18.2MHz
I
DD
（ OP ）
4,6
电源电流操作（单端口）
@ 18.2兆赫
I
DD
（SB）
4
电源电流待机
CMOS输入（I
OUT
= 0)
V
DD
= 5.5V
CMOS输入（I
OUT
= 0)
V
DD
= 5.5V
CMOS输入（I
OUT
= 0)
V
DD
= 5.5V
CMOS输入（I
OUT
= 0)
V
DD
= 5.5V
CMOS输入（I
OUT
= 0)
CE = V
DD
- 0.5, V
DD
= 5.5V
注意事项：
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法1019 25 ℃。
1.仅在初步认证后，可能会影响输入/输出电容的工艺或设计变更测量。
2.提供的设计极限，但不能保证或测试。
3.不能有多于一个的输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间要短。
4. V
IH
= 5.5V, V
IL
= 0V.
5. I
DD
（ OP ）减额在6.4毫安/ MHz的。
6. I
DD
（ OP ）减额在3.4毫安/ MHz的。
条件
民
0.7V
DD
最大
单位
V
0.3V
DD
0.4
0.05
2.4
4.45
25
25
-10
-10
10
10
V
V
V
V
V
pF
pF
µA
µA
90
-90
300
mA
mA
mA
150
mA
275
mA
138
mA
1
mA
6
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
