欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

UT8CR512K32-17VCC 参数 Datasheet PDF下载

UT8CR512K32-17VCC图片预览
型号: UT8CR512K32-17VCC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: UT8CR512K32 16兆位的SRAM [UT8CR512K32 16 Megabit SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 318 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
 浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UT8CR512K32-17VCC的Datasheet PDF文件第9页  
标准产品
UT8CR512K32 16兆位的SRAM
高级数据表
2004年10月
www.aeroflex.com/4MSRAM
特点
最大为17ns存取时间
异步操作与业界的兼容性
标准的512K ×8的SRAM
CMOS兼容输入和输出电平,三态
双向数据总线
- I / O电压3.3伏, 1.8伏的核心
辐射性能
- 本质总剂量: 300拉德(SI )
- SEL免疫>100兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 让
th
(0.25) : 53.0兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 记忆细胞饱和截面1.67E - 7厘米
2
/位
- 中子注: 3.0E14n /厘米
2
- 剂量率
- 翻转1.0E9 RAD (SI ) /秒
- 闭锁1.0E11 RAD (SI ) /秒
封装选项:
- 68引脚陶瓷四方扁平封装( 20.238克铅
帧)
标准微电路图纸5962-04227
- QML标准的一部分
介绍
该UT8CR512K32是一个高性能的CMOS静态RAM
多芯片模块(MCM) ,组织为四个单独的
524,288字由8位的SRAM与普通输出使能。
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供
使能( EN ) ,一个低电平有效输出使能( G)和三态
驱动程序。该器件具有省电功能,可降低
取消选择时的功耗的90%以上。
写入到每个存储器是通过将完成的
相应的芯片使能( EN)输入低电平和写使能
(WN )输入低电平。在I / O引脚的数据将被写入的
在地址引脚指定位置(A
0
至A
18
) 。阅读
从设备是通过将芯片来实现使能(EN)
和输出使能( G)低,而强迫写使能(WN )
HIGH 。存储器的在这些条件下,将内容
由地址引脚指定的位置将显示在I / O引脚。
在输入/输出引脚处于高阻抗状态时
取消选择器件( EN为高电平)时,输出被禁止(G
HIGH ) ,或写操作期间( EN低电平和Wn的低)。
执行8 , 16 , 24 ,或通过Wn中伴随着32位访问
连接一个公共输入到分立存储的任何组合
死了。
W2
E1
W1
W0
E0
E3
A(18:0)
G
W3
E2
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
DQ ( 31:24 )
or
DQ3 ( 7 : 0 )
DQ ( 23:16 )
or
DQ2 ( 7 : 0 )
DQ ( 15 : 8 )
or
DQ1 ( 7 : 0 )
DQ ( 7 : 0 )
or
DQ0 ( 7 : 0 )
图1. UT8CR512K32 SRAM框图
1