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UT8CR512K32-17VCX 参数 Datasheet PDF下载

UT8CR512K32-17VCX图片预览
型号: UT8CR512K32-17VCX
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内容描述: UT8CR512K32 16兆位的SRAM [UT8CR512K32 16 Megabit SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 318 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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交流特性写周期(前,后辐射) *
( -55 ° C至+ 125°C的( C)筛选和-40 ° C至+ 125°C为( W)筛查,V
DD1
= V
DD1
(分钟),V
DD2
= V
DD2
(MIN) )
符号
参数
8CR512-15
最大
单位
t
AVAV1
t
ETWH
t
AVET
t
AVWL
t
WLWH
t
WHAX
t
EFAX
t
WLQZ2
t
WHQX2
t
ETEF
t
DVWH
t
WHDX
t
WLEF
t
DVEF
t
EFDX
t
AVWH
t
WHWL1
写周期时间
设备启用写入的结束
地址建立时间用于写( EN-控制)
地址建立时间用于写(W - 受控)
把脉冲宽度
地址保持时间用于写(W - 受控)
地址保持时间用于设备使能( EN-受控)
W¯¯ - 可控三态时间
W¯¯ - 控制输出使能时间
设备使能脉冲宽度(恩 - 控制)
数据建立时间
数据保持时间
设备使能控制写脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
地址有效到写结束
写禁止时间
17
12
0
0
12
2
0
5
4
12
7
2
12
7
0
12
3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
*后辐射性能保证每MIL -STD- 883方法1019 25 ℃。
1.测试使用G高。
2.三态被定义为从稳态输出电压200mV的变化。
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