标准产品
数据表
2003年1月，
QCOTS
TM
UT8Q1024K8 SRAM
特点
25ns的最大（ 3.3伏电源）地址访问时间
双腔包包含两（ 2 ） 512K ×8业界
标准异步SRAM ;控制架构
允许的操作，一个8位的数据宽度
TTL兼容的输入和输出电平，三态
双向数据总线
典型的辐射性能
- 总剂量： 50krad （SI ）
- SEL免疫>80兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 让
TH
（0.25 ）= >10兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 饱和截面厘米
2
每比特， 5.0E - 9
- <1E - 8错误/位日，亚当斯90 ％的地球同步
重离子
封装选项：
- 44 - 的带领下钎焊双CFP （ BBTFP ） （ 4.6克）
标准微电路图纸5962-01532
- QML T和Q标准的一部分
介绍
该QCOTS
TM
UT8Q1024K8量化商用离任何─
货架产品是一种高性能的1M字节（ 8Mbit的） CMOS
静态RAM建有两个独立的524,288 ×8位的SRAM
具有共同的输出使能。内存访问和控制
由低电平有效芯片使能（EN） ，积极提供低
输出使能（G）。该器件具有省电功能，
取消选择时，功耗降低90％以上。
写入到每个存储器通过取的一种完成
芯片使能（EN）输入低电平和写使能（WN ）输入
低。在I / O引脚的数据将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
） 。从阅读
该装置通过利用所述芯片中的一个来实现使能（EN）
和输出使能（ G）低，而强迫写使能（WN ）
HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置将显示在I / O引脚。
只有一个SRAM可被读取或写入的时间。
在输入/输出引脚处于高阻抗状态时
取消选择器件（ EN为高电平）时，输出被禁止（G
HIGH ） ，或写操作期间（ EN低电平和Wn的低）。
E
1
A(18:0)
G
512K ×8
W
1
E
0
W
0
512K ×8
DQ （ 7 ： 0 ）
图1. UT8Q1024K8 SRAM框图
1
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
