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UT8Q512K32-SWC 参数 Datasheet PDF下载

UT8Q512K32-SWC图片预览
型号: UT8Q512K32-SWC
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内容描述: 16Megabit SRAM MCM [16Megabit SRAM MCM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 138 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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标准产品
QCOTS
TM
UT8Q512K32 16Megabit SRAM MCM
数据表
2003年6月,
特点
q
25ns的最大( 3.3伏电源)地址访问时间
q
MCM中的四(4) 512K ×8的工业标准
异步SRAM ;控制架构允许
的操作,如图8所示, 16 ,24或32位的数据宽度
q
TTL兼容的输入和输出电平,三态
双向数据总线
q
典型的辐射性能
- 总剂量: 50krads
- SEL免疫>80兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 让
TH
(0.25 )= >10兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 饱和截面厘米
2
每比特, 5.0E - 9
- <1E - 8错误/位日,亚当斯90 %的地球同步
重离子
q
封装选项:
- 68引脚双腔陶瓷四方扁平封装( CQFP ) -
(重7.37克)
q
标准微电路图纸5962-01533
- QML T和Q标准的一部分
介绍
该QCOTS
TM
UT8Q512K32量化商用
现成的,现成的产品是一种高性能的2M字节
( 16兆)的CMOS静态RAM的多芯片模块(MCM) ,
组织为四个独立的524,288 ×8位的SRAM与
常见的输出使能。存储器扩展是通过提供
一个低电平有效芯片使能(EN) ,一个低电平有效输出
使能( G)和三态驱动器。该设备具有加电
断特性,可以降低功耗超过
取消选择时的90% 。
写入到每个存储器是通过将芯片来实现
使能( EN)输入低电平和写使能(WN )投入低。
在I / O引脚的数据将被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
18
) 。阅读
从设备是通过将芯片使能实现
(EN)和输出使能( G)低,而强迫写使能
(WN )高。的在这些条件下,将内容
由地址引脚指定的内存位置将出现
在I / O引脚。
在输入/输出引脚被置于高阻抗状态
当设备被取消( EN为高电平)时,输出
禁用(G HIGH ) ,或写操作期间( EN低电平
和Wn的低)。执行8 , 16 , 24或32位被访问
Wn的制作与恩共同投入到任何
组合的离散的存储器裸片。
E
3
A(18:0)
G
W
3
E
2
W
2
E
1
W
1
E
0
W
0
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
DQ ( 31:24 )
or
DQ3 ( 7 : 0 )
DQ ( 23:16 )
or
DQ2 ( 7 : 0 )
DQ ( 15:3)
or
DQ1 ( 7 : 0 )
DQ ( 7 : 0 )
or
DQ0 ( 7 : 0 )
图1. UT8Q512K32 SRAM框图