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UT9Q512K32 参数 Datasheet PDF下载

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型号: UT9Q512K32
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内容描述: UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM [UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 138 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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写周期
Wn的组合比V少
IL
( max)和恩小于
V
IL
(最大值)定义一个写周期。克州是一个“不关心”
对于一个写周期。的输出被放置在高阻抗
状态时eitherG大于V
IH
(分钟),或者当Wn中少
比V
IL
(最大值)。
写周期1 ,写使能控制的访问被定义
由Wn的终止写会很高,恩仍然有效。
写脉冲宽度为t定义
WLWH
当写操作
发起byWn ,并用t
ETWH
当由恩开始写。
除非输出已经预先放置在高
阻抗状态BYG ,用户必须等待吨
WLQZ
申请前
数据的九个双向管脚DQ ( 7:0 ),以避免总线
争。
写周期2 ,芯片使能控制的访问被定义
写了恩后者将不活动的终止。写
脉冲宽度为t定义
WLEF
当被启动的写
Wn中,并用t
ETEF
当被连接去发起的写
活跃的。为Wn的启动的写入,除非该输出已
预先放置在高阻抗状态由G ,用户
必须等待吨
WLQZ
应用数据的八个双向之前
引脚DQ ( 7 : 0 ),以避免总线冲突。
典型抗辐射
该UT9Q512K32 SRAM采用的功能,它允许
运行在有限的辐射环境。
表2.辐射硬度
设计规范
1
总剂量
重离子
错误率
2
50
<1E-8
拉德(SI )
错误/位天
注意事项:
1. SRAM不会闭锁过程中辐射暴露在推荐
操作条件。
2. 90%的最坏情况下的粒子的环境中,地球同步轨道, 100密耳
铝。
3