数据表
1999年6月
ORCA
系列3C和3T的FPGA
时序特性
（续）
表44.同步存储器写入特性
OR3Cxx商业： V
DD
= 5.0 V± 5 ％ ， 0 ℃，
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
70 ℃;工业： V
DD
= 5.0 V± 10 ％ ， -40°C
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
+85 °C.
OR3Txxx商业： V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， 0 ℃，
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
70 ℃;工业： V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， -40°C
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
+85 °C.
速度
参数
写操作的RAM模式：
最大频率
时钟低电平时间
时钟高电平时间
时钟到数据有效（ CLK到F [ 6,4 ，2， 0]） *
写操作建立时间：
地址时钟（ CIN到CLK）
地址时钟（ DIN [7 ， 5 ， 3 ， 1至CLK ）
数据时钟（ DIN〔 6,4 ，2， 0]到CLK）
写使能（ WREN）时钟（ ASWE到CLK ）
写使能端口0 （ WPE0 ）时钟（CE到
CLK ）
写端口使能1 （ WPE1 ）时钟（ LSR为
CLK ）
写操作保持时间：
从时钟地址（ CIN从CLK ）
从时钟地址（ DIN [7 ， 5 ， 3 ， 1 ]从CLK ）
从时钟数据（ DIN〔 6,4 ， 2,0 ]从CLK ）
而写时钟从使能（WREN ） （ ASWE
CLK ）
写使能端口0 （ WPE0 ）从时钟（ CE
从CLK ）
写端口使能1 （ WPE1 ）从时钟（ LSR
从CLK ）
符号
民
SMCLK_FRQ
SMCLKL_MPW
SMCLKH_MPW
MEM_DEL
WA4_SET
WA_SET
WD_SET
WE_SET
WPE0_SET
WPE1_SET
-4
最大
151.00
—
—
10.00
—
—
—
—
—
—
-5
民
—
1.80
2.77
—
0.99
0.52
0.06
0.16
1.69
2.13
-6
最大
民
—
1.32
2.13
—
0.71
0.35
0.00
0.14
1.16
1.58
-7
最大
民
—
1.05
1.62
—
0.58
0.28
0.00
0.12
0.84
1.31
单位
最大
—
2.34
3.79
—
1.25
0.72
0.02
0.18
2.25
2.79
197.00
—
—
7.14
—
—
—
—
—
—
254.00
—
—
5.00
—
—
—
—
—
—
315.00兆赫
ns
ns
4.08
ns
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WA4_HLD
WA_HLD
WD_HLD
WE_HLD
WPE0_HLD
WPE1_HLD
0.00
0.00
0.59
0.03
0.00
0.00
—
—
—
—
—
—
0.00
0.00
0.42
0.00
0.00
0.00
—
—
—
—
—
—
0.00
0.00
0.40
0.08
0.00
0.00
—
—
—
—
—
—
0.00
0.00
0.32
0.06
0.00
0.00
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
* RAM被写在非活动时钟边沿之后的有效边沿锁存的地址，数据和控制信号。
注：本表显示了最坏情况下的延迟。
ORCA
铸造报告中的一组路径代表相同的延迟单个路径
定时参数，并且可以精确地报告的延迟是小于列出的那些。
WA4_SET
WA_SET
CIN ，DIN [7 ， 5,3 ，1]
WD_SET
DIN〔 6,4 ， 2,0 ]
WE_SET
ASWE （雷恩）
WPE0_SET
WPE1_SET
CE （ WPE0 ）
LSR （ WPE1 ）
T
SCH
CK
MEM_DEL
F[6, 4, 2, 0]
T
SCL
WPE0_HLD
WPE1_HLD
WE_HLD
WD_HLD
WA4_HLD
WA_HLD
5-4621(F)
图65.同步存储器写入特性
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