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AT-32011 参数 Datasheet PDF下载

AT-32011图片预览
型号: AT-32011
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内容描述: 低电流,高性能硅NPN双极晶体管 [Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 125 K
品牌: AGILENT [ AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. ]
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低电流,高绩效
NPN硅双极晶体管
技术参数
AT-32011
AT-32033
特点
•高性能双极
晶体管优化
低电流,低电压
手术
• 900 MHz的性能:
AT - 32011 : 1分贝NF , 14分贝摹
A
AT - 32033 : 1分贝NF , 12.5分贝摹
A
•特点是终了
生活中使用电池( 2.7 V )
• SOT -23和SOT -143表面贴装
塑料封装
•带盘式包装
可用选项
[1]
描述
惠普公司的AT- 32011和
AT- 32033顷高性能
有NPN双极晶体管
经过优化的最大值Fi
t
at
低电压操作,使得
它们非常适用于电池
无线供电的应用
市场。在AT- 32033使用
3引脚SOT-23 ,而AT- 320 11
放置在同一芯片中的更高
性能4引脚SOT -143 。两
包是行业标准,
并具有高体积兼容
表面贴装
技术。
的3.2微米的发射极 - 发射极
俯仰和减少寄生设计
这些晶体管收益率
极高的性能
可以执行一个产品
多重任务。该
20发射器的手指相互交叉的
几何产生一个容易搭配
和极快的晶体管
中等功率,低噪音
性和低的操作
电流。
优化的性能,在2.7 V
使这些器件非常适用于使用
在900兆赫兹, 1.8千兆赫,和2.4GHz
电池供电系统作为
低噪声放大器,增益级,缓冲器,振荡器
或有源混频器。典型的放大器
在900 MHz的设计产生1.2分贝
12分贝以上的噪声系数
在2.7 V , 2毫安相关的增益
偏置,噪声性能
是相对不敏感的
输入匹配。高增益能力
在1 V , 1毫安使这些器件
非常适用于900 MHz的寻呼机
应用程序。电压故障
对于使用5伏特不够高。
在AT -3系列双极晶体管
使用优化的被制造
版本惠普的
10 GHz的˚F
t
30 GHz的˚F
最大
排列晶体管( SAT )的过程。
模具是氮化物钝化为
表面保护。优秀
设备均匀,性能
和可靠性是由制造
使用离子注入,自
对准技术,和黄金
金属化中的制造
这些设备。
外形绘图
发射器收藏家
320
BASE
辐射源
SOT -143 ( AT- 32011 )
集热器
320
BASE
辐射源
SOT- 23 ( AT- 32033 )
注意:
1.请参阅“带盘式包装的半导体器件。 ”
4-53
5965-8920E