4
典型性能，T
C
= 25°C
0.45
总电容（ pF）的
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
总电容（ pF）的
0.35
10000
HSMP - 381B / C / E / F ， -481B
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
RF电阻（欧姆）
1000
100
HSMP-
386B/C/E/F
HSMP-482B
10
1
HSMP - 389B / C / E / F ， -489B
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
反向电压（ V）
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图1.射频电容与反向
偏见， HSMP - 381B / C / E / F系列。
图2.射频电容与反向
偏见， HSMP - 386B / C / E / F系列。
图3.总RF电阻在
25 ℃，与正向偏置电流。
10000
总RF电阻（欧姆）
1000
C
T
- 电容（pF ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
HSMP-482B
输入截点（ DBM）
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
1.4
HSMP-381B/C/E/F
HSMP-386B/C/E/F
HSMP-389B/C/E/F
120
二极管安装为
110系列衰减器
一个50Ω微带
100测试在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
HSMP-381B/C/E/F
100
10
1.0
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
0
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
二极管的射频电阻（欧姆）
图4. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP - 381B / C / E / F
系列和HSMP- 481B 。
图5.电容与反向
电压在1 MHz 。
图6.二次谐波输入
截取点与射频二极管
电阻衰减器二极管。
T
rr
- 反向恢复时间（纳秒）
输入截点（ DBM）
二极管安装为
115系列交换机中
一个50Ω微带
110测试在123兆赫
105
HSMP-3880
HSMP-389B/C/E/F
100
95
90
85
1
HSMP-386B/C/E/F
10
30
V
R
= 2V
V
R
= 5V
10
V
R
= 10 V
T
rr
- 反向恢复时间（ NS）
120
100
1000
V
R
= 5V
100
V
R
= 10V
V
R
= 20V
1
10
20
正向电流（mA ）
30
10
10
20
正向电流（mA ）
30
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图7.二阶谐波输入
截取点与正向偏置
电流开关二极管。
图8.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP- 482B 。
图9.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP - 386B / C / E / F系列。
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