AT1362A/B
基本产品信息
同步降压转换器
具有电源状态良好探测器& LDO
应用信息
电容的选择
在连续模式中，高端MOSFET的源极电流是方波的占空
周期。输入电容的主要功能是提供一个低阻抗环路
对脉冲电流的由AT1362A / B绘制的边缘。在输出负载步骤可
诱发振荡在输入VIN 。这振铃会耦合到输出端和被误
作为环不稳定。振荡可以通过添加输入的电容可以改善
电容。典型值为10μF的陶瓷（ X5R或X7R ） ， POSCAP或铝
聚合物。这些电容将提供良好的高频旁路和其低
ESR会降低电阻损耗，提高效率。输入电容RMS
电流随输入电压和输出电压。该方程为
最大RMS电流的输入电容器是：
I
RMS
=
I
OMAX
V
O
V
(1
−
O
)
V
IN
V
IN
输出电容依赖于合适的纹波电压。低纹波电压
对应于低的有效串联电阻（ESR） 。输出纹波电压
由下式确定：
∆
V
OUT
≅ ∆
I
L
(
ESR
+
1
)
8
fC
OUT
电容RMS纹波电流的输出由下式给出：
I
RMS
=
1
V
OUT
×
(
V
IN
−
V
OUT
)
L
×
f
×
V
IN
2 3
VBG电容器
一个VBG引脚提供去耦带隙基准电压。外部
电容连接形式VBG到GND降低噪音存在于内部
参考电压，从而显著降低输出噪声并且还改善
PSRR 。更大的电容值可被用于进一步改善的PSRR，但导致
更长的时间段（在慢转）定居的输出电压时，功率是初始
应用。
7F ， 9号，公园大道II ，科学工业园区，新竹300 ，台湾， ROC
联系电话： 886-3-563-0878
传真： 886-3-563-0879
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5/30/2006
REV ： 1.0
电子邮件：
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AIMTRON [ AIMTRON TECHNOLOGY ]
