ハイ リ ド型 ホールIC EWシ ーズ
ブ ッ
リ
EW6672
片極検知
電源電圧
2.4∼3.3Ｖ
●磁電変換特性
Vout
S
マーク面
H
V
OH
梱包は3000個/巻のテ−ピングとなります。
EW6672は、
InSb高感度ホール素子と波�½�整�½�用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。
ッ
ホール素子はパルス駆動されているため、
Vdd=3V時平均消費電流5μAときわめて�½�消費電力です。
ホール素子
パルス駆動
超高感度
Bop 1.5mT
：
出力�½�式
CMOS出力
薄型表面実装
パッケージ
1 Vcc
：
2 Vss
：
1
3
3 OUT
：
N
印加磁束の方向
V
OL
N極
0
Brp Bop
磁束密度
L
S極
Bh
●回路構成
1:Vdd
項 目
電
出
源
力
電
電
記号
圧
Vdd
圧
Iout
定 格
−
0.1
∼
5
単 �½�
V
mA
℃
℃
Dynamic
Offset Cancellator
●最大定格
（Ta=25℃）
Switch
3:OUT
±1
−
30
∼
85
−
40
∼
125
動 �½� 周 囲 温 度
Topr
保
存
温
度
Tstg
2:Vss
Pulse
Hall
Chopper Amplifier
Regulator Element Stabilizer
Schmitt
trigger
&Latch
Output
Stage
●電気的特性
（Ta=25℃ Vdd=3V）
項 目
記号
測 定 条 件
最小
2.4
1.0*
0.8
0.1*
標準
3.0
1.5
1.2
0.3
50
Vdd
−0.4
0.4
5
10
最大
3.3
2.3
1.9*
0.6*
100
単�½�
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
●磁界特性
（Ta=30℃∼85℃ Vdd=3V）
項 目
記号
測 定 条 件
最小
0.9
0.8
0.1
標準
1.5
1.2
0.3
最大
2.9
2.3
0.8
単�½�
mT
mT
mT
動 �½� 電 圧 範 囲
Vdd
動 �½� 磁 束 密 度
B
OP
復帰磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
パルス駆動周期
Brp
Bh
Tp
動 �½� 磁 束 密 度
B
OP
復帰磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
Brp
Bh
注）
本特性は設計保証と り す。
な ま
出 力 H i g h 電 圧
VOH Io=−1.0mA
出 力 L o w 電 圧
VOL
電
源
電
圧
Idd
Io=＋1.0mA
平均値
1
［mT�½ ［Gauss�½
=10
「*」
印の特性値は設計保証値にな ま
り す。
AKM [ ASAHI KASEI MICROSYSTEMS ]
