EW-412B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EW-412B
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内容描述：	EW- 412B是由超高灵敏度的InSb霍尔元件和包中的信号处理的IC芯片的 [EW-412B is composed of a Ultra-high sensitive InSb Hall element and a signal processing IC chip in a package]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 134 K
品牌：	AKM [ ASAHI KASEI MICROSYSTEMS ]

混合型霍尔效应集成电路EW系列

EW-412B

双极霍尔

效应锁存

电源电压

3∼26.4Ｖ

●运行特性

VOUT

记号

运包带盘（ 5000个/卷）

EW- 412B是由超高灵敏度的InSb霍尔元件和包中的信号处理的IC芯片。

霍尔元件

连续

激励

高灵敏度

国际收支平衡表300万吨

：

产量

上拉

电阻器

SMT

注意：它要求阅读并接受"IMPORTANT NOTICE"写在这个目录封面的背面。

1 VCC

：

2 GND

：

VSAT

3 OUT

：

BRP

BOP

N极

磁通量密度

S极

●绝对最大额定值（Ta = 25 ℃ ）

项

符号

极限

26.4

（＊）

VCC

−

∼

115

−

∼

125

●功能框图

1 ： Vcc的

内部上拉

电阻器

3 ： OUT

单位

℃

电源电压

VCC

输出H电压

VO（关闭）

输出L的电流

ISINK

工作温度范围

TOPR

存储温度范围

TSTG

AMP

2 ： GND

（＊）

请参阅电源电压降额曲线。

霍尔元件放大器

施密特触发器

输出级

●磁电气特性（Ta = 25℃）

项

符号

条件

分钟。

Vcc=12V

Vcc=12V,OUT''L''

Vcc=12V,OUT''H''

-6

典型值。马克斯。单位

-3

0.4

26.4

-1

kΩ

电源电压

工作点

放点

迟滞

BRP

输出饱和电压

VSAT

电源电流

输出电压下降

内部负载电阻

[OT ＆ frac12 ; [高斯＆ frac12 ;

=10

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