A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1101A/ALD1101B
ALD1101
双N信道匹配组MOSFET
概述
该ALD1101是单片双N沟道匹配的晶体管对
供了广泛的模拟应用。这些enhancement-
模式晶体管与先进的线性器件“恩制造
hanced ACMOS硅栅CMOS工艺。
该ALD1101提供高输入阻抗和负电流温度
TURE系数。晶体管对匹配于最小偏移电压
和差热响应，并且它被设计用于开关和
在放大+ 2V应用到+ 12V系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快是期望的。自
这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）
电流增益在低频或DC附近，操作环境。当
用ALD1102使用的，双CMOS模拟开关可以构造。
此外， ALD1101的目的是作为构造块差
放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。
该ALD1101适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在50Pa的规定，在室温下进行。例如，DC装置的测试
为5mA的在25℃下的漏电流为= 5毫安/ 50PA = 100,000,000 。
应用
•
•
•
•
•
•
•
•
•
精密电流镜
精密电流源
模拟开关
菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟逆变器
引脚配置
来源
1
门
1
漏
1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
基板
来源
2
门
2
漏
2
特点
• 0.7V的低阈值电压
•低输入电容
•沃斯低年级 - 为2mV ，为5mV ，为10mV
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•负电流（I
DS
）温度系数
•增强模式（常关）
•直流电流增益10
9
•符合RoHS
顶视图
SAL ， PAL ， DA套餐
* NC引脚内部连接。请勿进行外部连接。
框图
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
8-Pin
小尺寸
封装（ SOIC ）
ALD1101ASAL
ALD1101BSAL
ALD1101SAL
8-Pin
塑料DIP
包
ALD1101APAL
ALD1101BPAL
ALD1101PAL
8-Pin
CERDIP
包
漏1（3）
栅1（2）
源1（ 1 ）
基板（8）的
漏极2（5）
源2（7）
2号门（ 6 ）
ALD1101DA
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
2.0版© 2012高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
www.aldinc.com
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
