A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1105
双N沟道和双P沟道MOSFET MATCHED PAIR
概述
该ALD1105是单片双N沟道和双P沟道
互补匹配晶体管对用于范围广泛的
模拟应用。这些增强型晶体管是
用先进的线性器件“增强ACMOS硅制造
栅CMOS工艺。它由一个ALD1116 N沟道MOSFET对的
和一个ALD1117 P沟道MOSFET对在一个封装中。该ALD1105
是一种低漏电流， ALD1103的低漏电流的版本。
该ALD1105提供高输入阻抗和负电流的温度
系数。晶体管对匹配于最小偏移电压和
差热响应，并且它被设计为精确的信号
开关和放大应用+ 2V至+ 12V系统中低
输入偏置电流，低输入电容和开关速度快的
所需。由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎
无穷大）的电流增益在低频或DC附近，操作环境。
当在互补对所使用的，双CMOS模拟开关可以
建造。此外， ALD1105的目的是作为构造块
差分放大器的输入级，传输门电路，以及多路转换器
应用程序。
该ALD1105适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，DC装置的测试
在为3mA ，在25 ℃的漏电流为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
• N沟道和P沟道对之间的热追踪
• 0.7V的两个N沟道&低阈值电压
P沟道MOSFET
•低输入电容
•低沃斯 - 10mV的
•高输入阻抗 - 10
13
Ω
典型
•低输入和输出泄漏电流
•负电流（I
DS
）温度系数
•增强模式（常关）
•直流电流增益10
9
•在一个封装匹配N沟道和匹配的P-沟道
•符合RoHS
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
小尺寸
封装（ SOIC ）
ALD1105SBL
0 ° C至+ 70°C
14-Pin
塑料DIP
包
ALD1105PBL
-55 ° C至+ 125°C
14-Pin
CERDIP
包
ALD1105DB
P GATE 2 （ 9 ）
P漏极1（5）
P源1（ 7 ）
基板（11）的
P漏极2（10）
P SOURCE 2 （ 8 ）
应用
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
精密电流镜
互补推挽线性驱动器
模拟开关
菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟逆变器
精密匹配的电流源
引脚配置
DN1
GN1
SN1
V
-
DP1
GP1
SP1
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
SBL ， PBL ， DB套餐
14
13
12
11
10
9
8
DN2
GN2
SN2
V
+
DP2
GP2
SP2
框图
n条栅极1（2）
ñ漏1 （ 1 ）
氮源1 （ 3 ）
基板（4）
Ñ漏极2（14）
氮源2 （ 12 ）
n条栅2 （ 13 ）
P GATE 1（6）
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
2.0版© 2012高级线性Devices，Inc.的415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
