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ALD1106PBL 参数 Datasheet PDF下载

ALD1106PBL图片预览
型号: ALD1106PBL
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内容描述: QUAD /双N沟道匹配的一对MOSFET阵列 [QUAD/DUAL N-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET ARRAY]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 124 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
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绝对最大额定值
漏极 - 源极电压V
DS
栅源电压,V
GS
功耗
工作温度范围
10.6V
10.6V
500mW
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
SAL , PAL , SBL , PBL包
DA , DB包
存储温度范围
焊接温度10秒
小心: ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。
运行电气特性
T
A
= 25
°
C除非另有说明
ALD1106
参数
栅极阈值
电压
失调电压
V
GS1
-V
GS2
栅极阈值
温度
漂移
2
在漏
当前
ALD1116
最大
1.0
0.4
典型值
0.7
最大
1.0
单位
V
TEST
条件
I
DS
= 1.0μA V
GS
= V
DS
符号
V
T
0.4
典型值
0.7
V
OS
2
10
2
10
mV
I
DS
= 10μA V
GS
= V
DS
TC
VT
-1.2
-1.2
毫伏/°C的
I
DS ( ON)
3.0
4.8
3.0
4.8
mA
V
GS
= V
DS
= 5V
G
IS
∆G
fs
G
OS
1.0
1.8
0.5
200
1.0
1.8
0.5
200
mmho V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
%
μmho
V
DS
= 5V I
DS
= 10毫安
不匹配
产量
漏源
R
DS ( ON)
抗性
漏源
在阻性
不匹配
漏源
击穿
电压
关闭漏
当前
1
栅极泄漏
当前
输入
电容
2
注意事项:
1
2
350
500
350
500
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
DS ( ON)
0.5
0.5
%
V
DS
= 0.1V V
GS
= 5V
BV
DSS
12
12
V
I
DS
= 1.0μA V
GS
= 0V
I
DS (OFF)的
10
400
4
10
1
3
10
400
4
10
1
3
pA
nA
pA
nA
pF
V
DS
=12V V
GS
= 0V
T
A
= 125°C
V
DS
= 0V V
GS
= 12V
T
A
= 125°C
I
GSS
C
国际空间站
0.1
0.1
1
1
由结漏电流的
样品测试参数
ALD1106/ALD1116
先进的线性器件
2 11