A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1107/ALD1117
QUAD /双P沟道匹配的一对MOSFET阵列
概述
该ALD1107 / ALD1117是单片四/双P沟道enhance-
适用于范围广泛的换货模式匹配的MOSFET晶体管阵列
精密模拟应用。该ALD1107 / ALD1117提供高输入
阻抗和负电流的温度系数。晶体管
对被匹配为最小的偏移电压和差热
响应，并且它们被设计为精确的模拟开关和
在放大+ 2V应用到+ 12V系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快是期望的。这些
MOSFET器件具有非常大的（几乎是无限的）电流增益低
频率或接近直流，操作环境。该ALD1107 / ALD1117
正在为差分放大器输入级模块，传输
门和多路转换器应用中，电流源和许多精密
模拟电路。
特点
• -0.7V的低阈值电压
•低输入电容
•沃斯低2mV的典型
•高输入阻抗 - 10
14
Ω
典型
•负电流（I
DS
）温度系数
•增强模式（常关）
•直流电流增益10
9
•低输入和输出泄漏电流
•符合RoHS
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
包
ALD1117SAL
14引脚SOIC
包
ALD1107SBL
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
8引脚塑料DIP
包
ALD1117PAL
14引脚塑料DIP
包
ALD1107PBL
8引脚CERDIP
包
ALD1117DA
14引脚CERDIP
包
ALD1107DB
应用
•
•
•
•
•
•
•
•
精密电流镜
精密电流源
电压菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟信号处理
引脚配置
ALD1117
DP1
GP1
SP1
V
-
1
2
3
4
顶视图
SAL ， PAL ， DA套餐
8
7
6
5
DP2
GP2
SP2
V
+
ALD1107
DP1
GP1
SP1
V
-
DP4
GP4
SP4
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
SBL ， PBL ， DB套餐
14
13
12
11
10
9
8
DP2
GP2
SP2
V
+
DP3
GP3
SP3
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
框图
ALD1107
V- (4)
D
P1
(1)
D
P2
(14)
框图
ALD1117
V - (4)
D
P3
(10)
D
P4
(5)
~
G
P3
(9)
D
P1
(1)
~
D
P2
(8)
G
P1
(2)
G
P2
(13)
G
P4
(6)
G
P1
(2)
G
P2
(7)
S
P1
(3)
V+ (11)
S
P2
(12)
S
P3
(8)
V+ (11)
S
P4
(7)
S
P1
(3)
V+ (5)
S
P2
(6)
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