A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110814/ALD110914
V
GS （ TH）
= +1.4V
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
QUAD /双N沟道增强型EPAD®
匹配对MOSFET阵列
概述
ALD110814 / ALD110914是单片四核/双N沟道MOSFET
匹配在使用ALD的成熟EPAD® CMOS技术的工厂。
这些器件适用于低电压，小信号的应用程序。
该ALD110814 / ALD110914的MOSFET的设计和建造，也可扩展
ceptional设备的电气特性匹配。由于这些设备
在同一块芯片上时，它们也显示出优异的温度系数track-
荷兰国际集团的特点。每个设备是多功能的电路元件，并且是
有用的设计组件，用于范围广泛的模拟应用。他们
是用于电流源的基本构建块，差分放大器的输入
阶段，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。对于大多数应用程序
阳离子， V-连接和N / C引脚中最负电势
系统和V +引脚，以最积极的电势（或悬空
未使用） 。所有其他引脚必须在这些电压限制电压。
该ALD110814 / ALD110914设备是专为最低的失调电压
和差热响应，并且它们被设计用于转换
和放大在+ 1.5V应用到+ 10V系统中的低投入
偏置电流，低输入电容和开关速度快是期望的。
由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）
电流增益在低频或DC附近，操作环境。
该ALD110814 / ALD110914适用于精密应用
这需要很高的电流增益，β，如电流镜和
电流源。高输入阻抗和高直流电流增益
该场的影响导致晶体管通过极低的电流损耗
控制栅极。直流电流增益由栅极输入漏不限
目前，它被指定在30PA在室温下。例如，直流
该装置的的3毫安和输入漏电流的漏电流测试
30PA在25℃下为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
•增强模式（常关）
•标准门阈值电压： + 1.4V
•匹配的MOSFET MOSFET的特性
•严格的批次控制参数
• MOSFET，以增加漏电流并联
•低输入电容
• V
GS （ TH）
比赛进行到10mV的
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
•直流电流增益>10
8
•低输入和输出泄漏电流
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD110814PC
16-Pin
SOIC
包
ALD110814SC
8-Pin
塑料DIP
包
ALD110914PA
8Pin
SOIC
包
ALD110914SA
应用
•精密电流镜
•精密电流源
•电压菜刀
•差分放大器的输入级
•离散电压比较器
•电压偏置电路
•采样和保持电路
•模拟转换器
•电平转换器
•源极跟随器和缓冲器
•电流倍增器
•离散模拟多路复用器/矩阵
•离散模拟开关
引脚配置
ALD110814
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
N / C *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
N / C *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
N / C *
V
+
13
12
11
10
9
PC ， SC套餐
ALD110914
V-
V-
N / C *
1
2
3
4
8
7
N / C *
G
N1
D
N1
S
12
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接在一起。
连接到V-减少噪音
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
