A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD110804/ALD110904
QUAD /双N沟道增强型EPAD®
VGS （ TH） = + 0.40V
精密匹配的一对MOSFET阵列
应用
•超低功耗（纳瓦）模拟和数字
电路
•超低工作电压（ <0.40V ）电路
•亚阈值和偏置电路的操作
•精密电流镜和电流源
•纳安的电流源
•高阻抗电阻模拟器
•电容探头和传感器接口
•差分放大器的输入级
•离散电压比较器和电平转换器
•电压偏置电路
•采样和保持电路
•模拟和数字转换器
•充电检测器和集成商负责
•源极跟随器和高阻抗缓冲器
•电流倍增器
•离散模拟开关/多路复用器
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
概述
ALD110804 / ALD110904是高精度单片四核/双enhance-
彪型N沟道MOSFET在出厂时配套使用ALD的
成熟EPAD® CMOS技术。这些器件适用于低
电压，小信号的应用。该ALD110804 / ALD110904 MOSFET，
设计和建造特殊设备的电气特性
匹配。由于这些设备在同一块芯片上，他们也
具有优异的温度系数跟踪特性。它们是通用的电路
元素作为设计组件可用于范围广泛的模拟应用的
阳离子，如用于电流源的基本构建块，差动上午
plifier输入级，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。为
大多数应用程序，连接V-和IC引脚上最负电压
年龄在系统和V +连接到最正电压。所有其他
引脚必须有在任何时候这些电压限制电压。
该ALD110804 / ALD110904设备是专为最低的失调电压
和差热响应，并且它们适合用于开关和
放大的< + 0.1V的应用程序+ 10V系统中的低输入偏置
电流，低输入电容和开关速度快期望，如
这些器件具有很好的控制关断和亚阈值character-
istics和可被偏压，并在亚阈值区工作。自
这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）电流
租增益在低频或DC附近，操作环境。
该ALD110804 / ALD110904都适合使用在非常低的工作
电压或功率非常低（纳瓦） ，精密应用需要
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管是由于通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的
在30PA指定的温度为室温。例如，直流DE-公测
副在30PA的3毫安和输入漏电流的漏电流，在25 ℃下
是= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
•增强模式（常关）
为+ 0.40V •精确的栅极阈值电压
•匹配的MOSFET MOSFET的特性
•严格的批次控制参数
•低输入电容
• V
GS （ TH）
比赛（V
OS
），以10mV的
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
•直流电流增益>10
8
•低输入和输出泄漏电流
订购信息
（ “L”的后缀
表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
SOIC
包
16-Pin
塑料DIP
包
8-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
引脚配置
ALD110804
IC *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
IC *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
IC *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
IC *
V
+
13
12
11
10
9
SCL ， PCL套餐
ALD110904
IC *
G
N1
D
N1
S
12
1
2
3
4
V-
V-
8
7
IC *
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
SAL ， PAL套餐
* IC引脚内部连接在一起。
连接到V-
ALD110804SCL ALD110804PCL
ALD110904SAL ALD110904PAL
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值。
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
