A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1115
互补N沟道和P沟道MOSFET
概述
该ALD1115是一个单片互补的N沟道和P沟道
晶体管对用于范围广泛的模拟应用。这些
增强型晶体管与先进的生产线
设备的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺。它由
一个N沟道MOSFET ，在一个包中的P沟道MOSFET 。该
ALD1115是四互补ALD1105的双通道版本。
该ALD1115提供高输入阻抗和负电流
温度系数。晶体管对被设计用于精确
信号切换和放大应用+ 1V至+ 12V电源系统
其中，低输入偏置电流，低输入电容和快速开关
速度是需要的。由于这些MOSFET器件，它们的特点是非常
大（几乎是无限的）电流增益在低频，或接近直流，
操作环境。当并联连接源极，漏极
和连接在一起的闸门，一个CMOS模拟开关可以构造。
此外， ALD1115旨在作为构建块的CMOS
逆变器，差分放大器的输入级，传输门，以及
多路复用器应用。
该ALD1115适用于精密应用需要使用
很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益
晶体管导致通过控制栅极极低的电流损耗。
直流电流增益由栅极输入漏电流，限定其
被指定在30PA在室温下。 V +被连接到
基片，它是ALD1115最正的电压电势，
通常SP （ 5 ） 。类似地，V被连接到最负电压
该ALD1115的电位，一般的SN （1） 。
特点
• N沟道和P沟道之间的热追踪
• 0.7V的两个N沟道低阈值电压
和P沟道MOSFET
•低输入电容
•高输入阻抗 - 10
13
Ω
典型
•低输入和输出泄漏电流
•负电流（I
DS
）温度系数
•增强模式（常关）
•直流电流增益10
9
•单N沟道MOSFET和单P沟道
MOSFET在一个封装
订购信息
（ "L"suffix无铅版）
-55 ° C至+ 125°C
8-Pin
CERDIP
包
ALD1115 DA
ALD1115 MAL
*联系工厂的工业温度范围。
应用
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精密电流镜
互补推挽线性驱动器
离散模拟开关
模拟信号菜刀
差分放大器输入级
电压比较器
数据转换器
采样和保持
模拟量电流逆变器
精密匹配的电流源
CMOS反相器阶段
二极管钳位
源极跟随器
引脚配置
SN
GN
DN
V
-
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
DP
GP
SP
DA ， MA， PA， SA封装
框图
n条栅极1（2）
ñ漏1 （ 3 ）
氮源1 （ 1 ）
V- (4)
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
8-Pin
MSOP
包
8-Pin
塑料DIP
包
ALD1115 PA
ALD1115PAL
P GATE 1（6）
0 ° C至+ 70°C
8-Pin
SOIC
包
ALD1115 SA
ALD1115 SAL
P漏极1（7）
P源1（ 5 ）
V+ (8)
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
