A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD111933
双N沟道增强型EPAD®
匹配对MOSFET阵列
V
GS （ TH）
= +3.3V
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
概述
ALD111933是匹配的单片双N沟道MOSFET
工厂使用ALD的成熟EPAD® CMOS技术。这些设备是
适用于低电压，小信号的应用程序。
ALD111933的MOSFET的设计和建造特殊的装置
电气特性匹配。因为这些设备都是在同一
单片芯片，他们也表现出优异的温度系数跟踪characteris-
抽动。每个设备是多功能的电路元件，并且是有用的设计
成分为各种模拟应用。它们是碱性集结
为电流源，差分放大器输入级，在传输块的荷兰国际集团
锡安门和多路复用器应用。对于大多数的应用中，连接
V型和N / C管脚能够在系统中最负的电压电势。所有
其它的管脚必须在这些电压限制电压。
该ALD111933设备是专为最低的失调电压和differen-
TiAl金属的热响应，并且它们被设计用于转换和放大
到+ 10V系统中的低输入偏置电流，低应用在+ 3.0V
输入电容和开关速度快是期望的。由于这些都是
MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）电流增益
低频或DC附近，操作环境。
该ALD111933适用于高精度应用而重
叠纸很高的电流增益，β，例如电流镜，电流
源。高输入阻抗和的高直流电流增益
场效应晶体管产生通过极低的电流损耗
控制门。直流电流增益由栅极输入漏不限
目前，它被指定在30PA在室温下。例如，直流
该装置的的3毫安和输入漏电流的漏电流测试
30PA在25℃下为= 3毫安/ 30PA = 100,000,000 。
特点
•增强模式（常关）
•标准门阈值电压： + 3.3V
•匹配的MOSFET MOSFET的特性
•严格的批次控制参数
• MOSFET，以增加漏电流并联
•低输入电容
• V
GS （ TH）
比赛进行到20mV的
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
•直流电流增益>10
8
•低输入和输出泄漏电流
订购信息
（ “L ”后缀无铅版）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
8-Pin
塑料DIP
包
ALD111933PAL
8-Pin
MSOP
包
ALD111933MAL
8-Pin
SOIC
包
ALD111933SAL
应用
•精密电流镜
•精密电流源
•电压菜刀
•差分放大器的输入级
•离散电压比较器
•电压偏置电路
•采样和保持电路
•模拟转换器
•电平转换器
•源极跟随器和缓冲器
•电流倍增器
•离散模拟多路复用器/矩阵
•离散模拟开关
•低电流电压钳位
•电压检测器
•电容探头
•传感器接口
•峰值检测器
•电平转换器
•多种预设电压滞后电路
（与其他VGS （ TH） EPAD MOSFET的）
•能量采集电路
•零待机电源电压监控器
引脚配置
ALD111933
V-
N / C *
1
2
3
4
V-
8
7
6
5
G
N2
D
N2
V-
S
N2
G
N1
D
N1
S
N1
MA， PA ， SA套餐
* N / C引脚内部连接。
连接到V-减少噪音
*联系工厂用于工业或军用温度。范围或用户指定的阈值电压值。
©2006先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 http://www.aldinc.com
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
