ALD111933PAL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ALD111933PAL
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内容描述：	双N沟道增强型EPAD匹配的一对MOSFET阵列 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 411 K
品牌：	ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]

绝对最大额定值

漏源电压，

栅源电压，

功耗

工作温度范围PA ， SA ，MA包

存储温度范围

焊接温度10秒

10.6V

500毫瓦

0 ° C至+ 70°C

-65 ° C至+ 150°C

+260°C

运行电气特性

V- = GND TA = 25

C除非另有说明

注意事项：

ESD敏感器件。使用ESD控制的环境中的静电控制程序。

ALD111933

参数

栅极阈值电压

失调电压

VGS(th)1-VGS(th)2

偏移VoltageTempco

GateThreshold电压温度系数

符号

VGS （ TH）

民

3.25

典型值

3.3

最大

3.35

单位

测试条件

IDS = 1μA

VDS = 0.1V

IDS = 1μA

VDS1 = VDS2

ID = 1μA

ID = 20μA ， VDS = 0.1V

ID = 40μA

VGS = + 10.0V

VGS = + 7.3V

VDS = + 5V

VGS = + 7.3V

VDS = + 10.4V

VOS

∆

VOS

TCΔVGS （日）

-1.7

0.0

+1.6

6.9

3.0

μV/°C

°C

在漏极电流

IDS （ ON）

正向跨导

政府飞行服务队

∆G

GOS

RDS （ ON）

∆R

DS （ ON）

1.4

mmho

跨不匹配

1.8

VGS = + 7.3V

VDS = + 10.4V

VDS = 0.1V

VGS = + 5.9V

VDS = 0.1V

VGS = + 7.3V

IDS = 1.0μA

VGS = 2.3V +

VDS = 10V ， TA = 125°C

VDS = 0V VGS = 10V

TA = 125℃

输出电导

漏源导通电阻

500

μmho

Ω

漏源导通电阻

不匹配

漏源击穿电压

0.5

BVDSX

IDS （ OFF ）

漏源极漏电流

100

栅极漏电流

IGSS

西塞

CRSS

吨

花花公子

输入电容

反向传输电容

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

相声

2.5

0.1

V + = 5V， RL = 5KΩ

F = 100KHz的

注意事项：

由结漏电流的

ALD111933

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