A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD1123E/ALD1121E
QUAD /双EPAD
®
精密匹配的一对N沟道MOSFET阵列
特点
好处
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电可编程模拟器件
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CMOS技术
工作在2V ， 3V ， 5V至10V
柔性电路的基本构建块和设计元素
极高的分辨率 - 平均电子微调电压
在0.1mV的分辨率
宽动态范围 - 从0.1μA电流水平
到3000μA
电压调整范围为1.000V至3.000V
在在0.1mV步骤
实践证明，非挥发性CMOS技术
小于2mV的典型10年漂移
可用在电压模式或电流模式
高输入阻抗 - 10
12
Ω
非常高的DC电流增益 - 大于10
9
器件的工作电流具有正温度
系数范围和负温度
系数范围交叉零点温度
系数目前的水平，在68μA
严密匹配与导通电阻的跟踪
与电子微调不同设备之间
宽动态电阻匹配范围
极低的输入电流和泄漏电流
低成本，单芯片技术
应用程序特定的或在系统编程模式
可选的用户软件控制的自动化
可选的电子微调的任何标准/自定义配置
微操作
提供标准PDIP ， SOIC和密封CDIP包
适合匹配，对平衡的电路结构
适合用于这两个粗调和精细修边，以及作为匹配的
MOSFET阵列应用
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封装后精确匹配电
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简单，优雅的单芯片用户选项
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以微调电压/电流值
具有优良的设备匹配特性
或没有附加电饰板
远程与电有关的参数微调
电路是物理上不可访问
可用在环境密封电路
无机械运动部件 - 高G-SHOCK
公差
提高了可靠性，可靠性，防尘，
耐湿性
成本和节省劳动力
小体积高密度电路板
应用
引脚配置
ALD1123E
P
N1
G
N1
D
N1
V-
1,
S
N1
P
N4
G
N4
D
N4
V-
2,
S
N4
1
2
3
4
5
6
7
8
M4
M3
M1
M2
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16
15
14
13
12
11
10
9
S
N2
D
N2
G
N2
P
N2
S
N3
D
N3
G
N3
P
N3
订购信息
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
塑料DIP
包
ALD1123E PC
16-Pin
SOIC
包
ALD1123E SC
DC ，PC ， SC包装
引脚配置
ALD1121E
P
N1
G
N1
1
M1
2
3
M2
4
5
P
N2
7
6
D
N2
G
N2
8
S
N2
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
8-Pin
塑料DIP
包
ALD1121E PA
*联系工厂的工业温度范围
D
N1
S
N1,
V-
8-Pin
SOIC
包
ALD1121E SA
DA ， PA ， SA封装
©2003先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，加利福尼亚州94089 -1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286 www.aldinc.com
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
