A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
TM
ALD1121E/ALD1123E
e
®
EPAD
D
LE
AB
E
N
QUAD /双EPAD
®
精密N沟道匹配的一对MOSFET阵列
概述
ALD1121E / ALD1123E是单片四核/双EPAD
®
（电
可编程模拟器件）N沟道MOSFET与电
可调阈值（导通）电压。该ALD1121E / ALD1123E是
精密匹配和调整， （ E-修剪）在导致工厂
这是高度一致的电气特性四核/双MOSFET 。
该ALD1123E有四（ 4 ）独立源极引脚。 S
N1
, S
N2
共享
普通基板针， V-
1
，其具有被连接到最
负的电压电势。同样，S
N3
, S
N4
共享一个公共衬底上
脚， V-
2
，其具有被连接到负的电压电势为
S
N3
, S
N4
。该ALD1121E有两个（ 2 ）独立源极引脚（S
N1
, S
N2
).
能够对S
N1
, S
N2
共享一个共同的基片，销4 ，它具有以
连接到最负的电压电势。对于给定的输入电压，
MOSFET器件的阈值电压来确定它的漏极导通电流，
从而导致导通电阻特性，可以精确地预置和
然后，通过将输入电压控制的非常准确。
使用ALD1121E / ALD1123E是简单和直接的。该
的MOSFET用作n沟道MOSFET ，所不同的是所有的设备
有特殊的匹配对于彼此在电气特性。为
一个给定的输入电压， MOSFET器件的阈值电压确定
其漏极导通电流，从而产生导通电阻特性，可以是
精确预置，然后通过对输入电压的控制非常准确。
由于这些设备在同一块芯片上，他们也表现出
优良的温度系数匹配特性。
订购信息
（ “L ”后缀表示无铅（ RoHS指令） ）
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
包
ALD1121ESAL
16引脚SOIC
包
ALD1123ESCL
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
8引脚塑料DIP
包
ALD1121EPAL
16引脚塑料DIP
包
ALD1123EPCL
8引脚CERDIP
包
ALD1121EDA
16引脚CERDIP
包
ALD1123EDC
好处
•
经过精密的电气匹配
包装
•
简单，优雅的单芯片用户选项
•
•
要修剪的电压/电流值
优良的设备匹配特性
带或不带附加的电饰板
远程和电参数微调
在电路中是无法实际接触
引脚配置
ALD1121E
P
N1
G
N1
D
N1
S
N1,
V-
1
M1
2
3
M2
4
5
顶视图
SAL ， PAL ， DA套餐
8
7
6
S
N2
D
N2
G
N2
P
N2
ALD1123E
P
N1
G
N1
D
N1
V-
1,
S
N1
P
N4
G
N4
D
N4
V-
2,
S
N4
1
2
3
4
5
6
7
8
M4
M3
M1
M2
16
15
14
13
12
11
10
9
S
N2
D
N2
G
N2
P
N2
S
N3
D
N3
G
N3
P
N3
*联系工厂含铅（非RoHS指令）或高温的版本。
顶视图
SCL ， PCL ，直流成套产品
框图
ALD1123E
P
N1
(1)
D
N1
(3)
D
N2
(15)
P
N2
(13)
P
N3
(9)
D
N3
(11)
D
N4
(7)
P
N4
(5)
框图
ALD1121E
P
N1
(1)
D
N1
(3)
D
N2
(7)
P
N2
(5)
G
N1
(2)
G
N2
(14) G
N3
(10)
G
N4
(6)
G
N1
(2)
G
N2
(6)
S
N1
(4)
V-
1
(4)
S
N2
(16)
S
N3
(12)
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~
V-
2
(8)
~
M1
M2
M3
M4
M1
S
N4
(8)
S
N1
(4)
~
M2
V- (4)
S
N2
(8)
ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
