A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ，
I
NC 。
ALD114813/ALD114913
QUAD /双N沟道耗尽型EPAD®
VGS （ TH） = -1.30V
精密匹配的一对MOSFET阵列
应用
• B型（ NC）继电器的功能替代
•超低功耗（纳瓦）模拟和数字
电路
•超低工作电压（ <0.2V ）模拟和
数字电路
•亚阈值和偏置电路的操作
•零电源故障报警系统，安全电路
•备用电池电路
•电源故障和故障安全检测
•源极跟随器和高阻抗缓冲器
•精密电流镜和电流源
• Capacitives探头和传感器接口
•充电检测器和集成商负责
•差分放大器的输入级
•高边开关
•峰值检测器和电平转换器
•采样和保持
•电流倍增器
•离散模拟开关和多路复用器
•离散电压比较器
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
概述
ALD114813 / ALD114913是高精度单片四核/双耗尽模式
N沟道MOSFET ，在使用ALD的证明EPAD CMOS工厂匹配
技术。这些器件适用于低电压，小信号的应用
系统蒸发散。他们是优秀的功能替代常闭继电器应用程序
阳离子，因为它们通常是接通（导通），而不施加任何力，但
可以关闭或调节时的系统电源被接通。这些
MOSFET具有独特的特性，当栅极接地，能操作
阿婷在电阻模式为低漏极电压等级和电流源中
模式为更高的电压电平，并提供一个恒定漏电流。
这些MOSFET是专为特殊设备的电气特性
匹配。由于这些设备在同一块芯片上，它们还表现出
良好的温度跟踪特性。他们是多才多艺的设计的COM
ponents为广泛的模拟应用的，并且它们基本构造
为电流源，差分放大器的输入级，传输门电路块
和多路复用器应用。除了对相匹配的电特性，各
个别MOSFET的也显示出良好的控制参数，从而使用户能够
依靠严格的设计限制。不同批次，不同日期，甚至单位
制造了相应的良好的匹配特性。
这些耗尽型器件是专为最低的失调电压和differen-
TiAl金属的热响应，并且它们被设计用于转换和放大应用程序
单1.5V阳离子+/- 5V系统中的低输入偏置电流，低输入
电容和开关速度快是期望的。这些器件具有很好
控制的关断和亚阈值charactersitics ，因此可以用在
依赖于亚阈值特性的设计。
该ALD114813 / ALD114913适用于高精度应用这
需要非常高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。
样品计算直流电流增益中的3毫安和栅极的漏电流
30PA的输入漏电流= 100,000,000 。它建议用户，对于
大多数应用程序，连接V +引脚，以最积极的电压和V-和
IC引脚以在系统中的最负电压。所有其他引脚必须有
电压范围内，在任何时候，这些电压限制。
特点
•耗尽型（常开）
•精确的栅极阈值电压： -1.30V +/- 0.04V
•额定ř
DS （ ON）
@V
GS
1.3KΩ的= 0.0V
•匹配的MOSFET MOSFET的特性
•严格的批次控制参数
•低输入电容
• V
GS （ TH）
比赛（V
OS
） - 为20mV
•高输入阻抗 - 10
12
Ω
典型
•正，零，负V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
•直流电流增益>10
8
•低输入和输出泄漏电流
订购信息
（ “L”的后缀
表示无铅（ RoHS指令） ）
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
16-Pin
SOIC
包
16-Pin
塑料DIP
包
8-Pin
SOIC
包
8-Pin
塑料DIP
包
销刀豆网络gurations
ALD114813
IC *
G
N1
D
N1
S
12
V
-
D
N4
G
N4
IC *
1
2
3
4
5
6
7
8
V
-
V
-
V
-
M4
M3
M1
M2
V
-
V
-
16
15
14
IC *
G
N2
D
N2
V
+
S
34
D
N3
G
N3
IC *
V
+
13
12
11
10
9
SCL ， PCL套餐
ALD114913
IC *
G
N1
D
N1
S
12
1
2
3
4
M1
M2
V-
V-
8
7
6
IC *
G
N2
D
N2
V-
V-
SAL ， PAL套餐
5
* IC引脚内部连接，
连接到V-
ALD114813SCL ALD114813PCL ALD114913SAL ALD114913PAL
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值
修订版2.1 © 2012先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
