欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ALD212900 参数 Datasheet PDF下载

ALD212900图片预览
型号: ALD212900
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双高驱动零门槛匹配的一对 [DUAL HIGH DRIVE ZERO THRESHOLD MATCHED PAIR]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 12 页 / 110 K
品牌: ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
 浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ALD212900的Datasheet PDF文件第9页  
A
先进适用
L
INEAR
D
EVICES ,
I
NC 。
ALD212900/ALD212900A
精密N沟道EPAD
®
MOSFET阵列
双高驱动零门槛™匹配的一对
e
TM
EPAD
E
N
®
AB
LE
D
VGS ( TH) = + 0.00V
概述
ALD212900A / ALD212900精密N沟道EPAD
®
MOSFET阵列精密度
锡永匹配在工厂使用ALD的行之有效的EPAD
®
CMOS技术。这些
双单片器件增强增加的ALD110900A / ALD110900
EPAD
®
MOSFET系列,以增加正向跨导和输出
导,特别是在非常低的电源电压。
适用于低电压,低功耗小信号的应用中, ALD212900A /
ALD212900具有零阈值电压™ ,它使电路设计
与输入/输出信号以GND为参考,在提高工作电压
范围。与这些装置中,有多个级联级的电路可以是
建于极低的电源/偏置电压电平来操作。例如,一
纳安级的输入放大级的<0.2V电源电压工作已
成功地建立与这些设备。
ALD212900A / ALD212900 EPAD MOSFET具有特殊的匹配对
的栅极阈值电压V器件的电气特性
GS ( TH)
精确设定
在+ 0.00V + 0.01V ,我
DS
= + 20μA @ V
DS
= 0.1V ,具有典型的偏移电压
只有+/- 0.001V ( 1mV的) 。内置了一颗单芯片上,他们也表现出excel-
借给温度跟踪特性。这些精密设备是通用的
作为设计组件为广泛的模拟小信号的应用
如基本的构建模块,电流镜,匹配电路,电流
源,差分放大器的输入级,传输门,和multiplex-
ERS 。他们也擅长在有限的工作电压的应用,例如非常低的
电平电压钳和纳米电源常通电路。
除了精密匹配的对的电特性,每个单独的
EPAD MOSFET也表现出了很好的控制生产特点,恩
abling用户依赖于来自不同生产批次的紧身设计极限。
这些设备是专门为最低的失调电压和差热重
响应情况,并且它们可以被用于切换并放大在+ 0.1V的应用
至+ 10V ( +/- 0.05V至+/- 5V )供电系统中的低输入偏置电流,低
输入电容,和快速的开关速度是期望的。在V
GS
> 0.00V时,
器件具有增强型的特点,而在V
GS
<0.00V的
设备工作在亚阈值电压区域,并显示常规
耗尽型特点,具有很好的控制关断和亚阈值
该操作同标准的增强型MOSFET的水平。
ALD212900A / ALD212900具有高输入阻抗( 2.5× 10
10
Ω)
和高
直流电流增益( >10
8
) 。样本计算直流电流增益的漏
300pA的30毫安和输入电流,在25 °C的输出电流为30mA / 300pA =
100,000,000 ,换算成约一个动态的工作电流范围
8个数量级。一系列的四个图表标题为“正向传递煤焦
动感画“ ,有字幕的第二个”扩大(亚阈值) “ ,第三个”进一步
扩展(亚阈值) “和第四个”低电压“说明了独特的宽
这些设备中的动态工作范围。
通常,建议在V +引脚被连接到最正
电压和V-和IC (内部连接)引脚最负电压
年龄在系统中。所有其他引脚必须在这些电压限制电压
在任何时候。标准的ESD防护设施,并为静态处理程序
敏感的设备使用这些设备时,强烈推荐。
订购信息
( “L”的后缀
表示无铅( RoHS指令) )
工作温度范围*
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
ALD212900ASAL
ALD212900SAL
8引脚塑料DIP
ALD212900APAL
ALD212900PAL
特点&贝内连接TS
•零门槛™V
GS ( TH)
= 0.00 V +/-0.01V
• V
OS
(V
GS ( TH)
比赛)来为2mV / 10mV的最大值。
•亚阈值电压(纳米电源)操作
• < 100mV的最小。工作电压
• < 1 nA的最低。工作电流
• < 1纳瓦最小。工作电源
• > 100,000,000 : 1工作电流范围
•高跨导和输出电导
•低R
DS ( ON)
14Ω的
•输出电流> 50毫安
•匹配和跟踪温度系数
•紧很多对很多参数控制
•正,零,负V
GS ( TH)
温度系数
•低输入电容和漏电流
应用
•低开销电流镜和电流源
•零功率常开电路
•能量采集电路
•非常低的电压模拟和数字电路
•零功耗失效保护电路
•备用电池电路&电源故障检测器
•极低的电平电压型夹
•极低的水平过零检测器
•匹配的源极跟随器和缓冲器
•精密电流镜和电流源
•匹配电容探头和传感器接口
•充电检测器和集成商负责
•高增益差分放大器的输入级
•匹配的峰值检测器和电平转换器
•多通道采样和保持开关
•精密电流倍增器
•离散匹配的模拟开关/多路复用器
•纳功率分立电压比较器
引脚配置
ALD212900
V-
V-
IC *
G
N1
D
N1
S
12
1
2
3
4
8
7
V+
G
N2
D
N2
V-
M1
M2
6
V-
5
SAL , PAL套餐
* IC引脚内部连接在一起,连接到V-
*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值。
© 2013先进的线性器件公司,弗斯。 1.0
www.aldinc.com
1 12