一般说明（续）
通过适当的特定SAB MOSFET的设计和选择
装置对于给定的一对超级电容器，它现在是可能的有
调节和两个串联的超级电容器的平衡，在
基本上没有额外的漏电流，由于SAB只MOSFET
进行两者之间的漏电流的差
超级电容器。
同样，具有较高的泄漏底部超级电容器的情况下
比顶超级电容器的电流工作在类似的方式，用
底部的超级电容器， Ⅴ的倾向
S（底部）
，电压下降，
由顶超级电容器， Ⅴ的倾向补偿
S（顶部）
，电压
下降以及由顶级SAB MOSFET影响。这SAB
MOSFET的电荷平衡方案还扩展到多达四个
通过使用四个SAB的MOSFET在一个在一系列网络超级电容器
单ALD8100xx SAB MOSFET封装。
如周围环境温度升高时，超级电容器的漏电流，
作为温度的函数，而增加。该SAB MOSFET阈值
旧的电压降低与温度的升高，这将导致
漏电流增加与温度为好。这个漏
电流的增加补偿了内的漏电流增加
超级电容器，降低了整体的超级电容器温度泄漏
实现和保持电荷平衡效果。此温
度补偿假设所有的超级电容器和SAB
MOSFET是在相同的温度环境。
的SAB每个MOSFET漏极引脚有一个内部反向偏置
二极管，它的源极引脚，它可以成为正向偏置，如果
漏极电压应成为负相对于它的源极引脚。这
正向偏置的二极管钳位的漏极电压，以限制负
相对于它的源极电压的电压，并且被限制80mA的最大值。
额定之间的任何两个引脚的电流。
指定SAB ™ MOSFET，
选择SAB的MOSFET的过程开始，通过分析
参数和给定的选择的超级电容器的要求：
1 ）为了更好地泄漏电流的匹配结果，挑选相同品牌
和将要连接的一系列超级电容器的模型。如果可能的话，
选择来自同一生产批次超级电容器。 （注： SAB
MOSFET是精确地设置在工厂和指定，这样
他们很多到很多东西， MOSFET对MOSFET的变化是不是一个问题。 ）
2）确定该超级电容器的漏电流范围。
3 ）确定了超级电容器的预期标称工作电压。
4 ）确定了超级电容器的最大工作电压额定值。
5）计算或测量的最大漏电流
超级电容器的最大额定工作电压。
6 ）确定的超级电容器的工作温度范围。
7 ）确定工作的泄漏电流在任何其他级别
该系统。
接下来，确定在一个SAB MOSFET归漏极电流
预先选定的工作电压。例如， ALD810025有
额定漏电或漏， 1μA的电流施加漏门源
电压2.50V的。如果所需的归一漏极电流为0.01μA ，
然后ALD810025将给出一个偏压漏极 - 栅极源极电压
约2.3V的电流，其产生的等效
ON 2.3V电阻/ 0.01μA 〜 = 230MΩ （用拇指法则
每V的0.10V电流变化的一个十年
GS
= V
DS
改变） 。
一个设计实例
使用两个2.7V额定超级电容器CON组采用单5V电源
连接的一系列和单个SAB的MOSFET的阵列封装。
用于与超级电容器：
1）最大。工作电压= 2.70V和
2 ）最大。漏电流= 10μA 70
°
C.
3）在2.50V ，超级电容器的最大。泄漏电流2.5μA = 25
°
C.
接下来，选择ALD810026 ，一个SAB MOSFET采用V
t
= 2.60V 。为了这
装置中，在V
GS
= V
DS
= 2.60V ，标称我
DS （ ON）
= 1μA 。每
漏电流表，在V
GS
= V
DS
= 2.50V ，我
DS （ ON）
~= 0.1µA.
在2.50V的标称工作电压，附加漏电
因此，由ALD810026目前的贡献是0.1μA 。该
总电流为超级电容器和MOSFET的SAB = 2.5μA +
0.1μA 〜= 2.6μA @ 2.50V的工作电压。在操作
2.40V的电压，附加ALD810026漏电流
减小至约0.01μA 。
在A最大。整个ALD810026 SAB MOSFET 2.70V的电压，
V
GS
= V
DS
= 2.70V结果我
DS （ ON）
= 10μA 。 10μA也是
最大。漏电流裕量，之间的顶部和底部的区别
汤姆超级电容器的漏电流，可以得到补偿。
如果需要更高的最大值。漏电流裕量需要一个应用程序
化，然后选择需要进入下一个SAB MOSFET
下来在系列， ALD810025 。对于一个ALD810025工作在
最大。 2.70V ，最大的额定电压。漏电流裕量
〜 = 50μA 。对于该装置中，额定工作电流在2.50V是
〜= 1μA ，这是平均消耗电流为串联
连接协议栈。的总电流为超级电容器和SAB
MOSFET是= + 2.5μA 1μA 〜 = 3.5μA @ 2.50V的工作电压。
由于SAB MOSFET始终是活动的，总是在“上”
模式，也没有涉及到电路交换模式或睡眠模式。这
可能成为一个重要的因素时之间的时间间隔
超级电容器放电或充电，和其它事件happen-
荷兰国际集团中的应用，是长的，未知的或可变的。
在现实生活中，实际电路的行为是有点不同的，
进一步降低了来自两个超级电容器整体的漏电流和
SAB的MOSFET时，由于对不同的自动补偿
漏电流水平由两个超级电容器本身和
组合与SAB的MOSFET。利用上面的例子
2超级电容器串联，假设顶超级电容泄漏
10μA和底部1泄漏4μA （额定2.7V最大二者）。
在电源保持在5V DC 。跨越的实际电压
顶端超级电容器趋向于5.0V的小于50％时，由于其
内部漏电流，并在降低的电流电平的结果BE-
导致它两端的电压趋于降低为好。总
通过这两个超级电容器电压仍为5.0V ，因此每个超级电容器会
遇到一个降低的电压在小于最大额定电压
2.7V的，由此导致降低总漏电流
每两个超级电容器。
这些漏电流，然后进一步通过SAB的调节
的MOSFET跨过每个超级电容器的连接。年底再
SULT是一种补偿条件，其中前超级电容器具有2.4V 〜
和底帽具有〜 2.6V的电压。过量泄漏
顶端超级电容器的电流穿过底部SAB被旁路
的MOSFET ，从而很少或没有净增加的漏电流
由底部SAB的MOSFET的引入。同时顶部SAB
MOSFET ，用〜两端2.4V ，偏置进行（或泄漏）极
小漏电流。还需要注意的是上面超级电容器现在偏置
〜 2.4V ，因此，会遇到以下的漏电流比
ALD810023 ， ALD810024 ， ALD810025 ，
ALD810026 ， ALD810027 ， ALD810028
先进的线性器件公司
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ALD [ ADVANCED LINEAR DEVICES ]
