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    8184 参数 Datasheet PDF下载

    8184图片预览
    型号： 8184
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低压差， 3 V稳压器。高效率 [LOW-DROPOUT, 3 V REGULATOR . HIGH EFFICIENCY]
    分类和应用： 稳压器功效
    文件页数/大小： 8 页 / 120 K
    品牌： ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
     浏览型号8184的Datasheet PDF文件第1页浏览型号8184的Datasheet PDF文件第2页浏览型号8184的Datasheet PDF文件第4页浏览型号8184的Datasheet PDF文件第5页浏览型号8184的Datasheet PDF文件第6页浏览型号8184的Datasheet PDF文件第7页浏览型号8184的Datasheet PDF文件第8页  
    8184
    低压差，
    3 V稳压器
    在T电气特性
    A
    = +25
    °
    ℃（除非另有说明） 。
    范围
    特征
    输出电压
    符号
    V
    O
    测试条件
    4 V
    ≤
    V
    I
    ≤
    8 V,
    10
    µA ≤
    I
    O
    ≤
    百毫安*
    T
    A
    = +25°C
    -20°C
    ≤
    T
    A
    ≤
    +85°C
    分钟。
    2.95
    2.90
    2.70
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    150
    安装在2.24" X 2.24"焊涂层
    镀铜板在静止的空气中
    —
    典型值。
    3.00
    3.00
    —
    —
    4.0
    9.5
    19
    14
    8.0
    90
    190
    45
    50
    —
    258
    马克斯。
    3.05
    3.10
    —
    ±1.0
    10
    18
    30
    25
    20
    150
    300
    60
    65
    —
    —
    单位
    V
    V
    V
    毫伏/°C的
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    µA
    µA
    °C
    ° C / W
    V
    I
    = 3 V，I
    O
    = 60毫安* ， -20℃
    ≤
    T
    A
    ≤
    +85°C
    输出伏。温度。 COEFF 。
    线路调整
    α
    VO
    ∆V
    O（ ΔVI ）
    V
    I
    = 6 V，I
    O
    = 10毫安
    6 V
    ≤
    V
    I
    ≤
    8 V，I
    O
    = 1毫安
    4 V
    ≤
    V
    I
    ≤
    6 V，I
    O
    = 1毫安
    负载调整率
    ∆V
    O（ ΔIO ）
    1毫安
    ≤
    I
    O
    ≤
    百毫安* ，V
    I
    = 8 V
    1毫安
    ≤
    I
    O
    ≤
    百毫安* ，V
    I
    = 6 V
    1毫安
    ≤
    I
    O
    ≤
    百毫安* ，V
    I
    = 4 V
    输入输出电压差
    V
    I
    分钟 - V
    O
    I
    O
    = 60毫安*
    I
    O
    = 125毫安*
    静态电流
    （ GND端电流）
    热关断温度。
    热阻
    T
    J
    R
    θJA
    I
    Q
    V
    I
    = 6 V ， 1毫安
    ≤
    I
    O
    ≤
    百毫安* ，V
    E
    ≥
    2.0 V
    V
    I
    = 8 V ， 1毫安
    ≤
    I
    O
    ≤
    百毫安* ，V
    E
    ≥
    2.0 V
    典型值是在T
    A
    = + 25 ℃，并给出了唯一的电路设计信息。
    *脉冲测试（ ≤20毫秒） 。对于占空比的限制，请参见上一页。

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