A1220, A1221,
A1222和A1223
斩波稳定精密霍尔效应锁存
功率降额
该设备必须低于最高结操作
设备，则T的温度
J（下最大）
。下的某些组合
峰的条件下，运行可靠，可能需要降额提供
功率或改善应用程序的散热性
阳离子。本节介绍了相关因素的过程
影响操作时间
J
。 （热数据也可在
器Allegro MicroSystems网站。 ）
封装热阻，R
θJA
，是品质因数sum-
marizing应用程序的能力和在设备消散
热量从结（模具） ，通过所有的路径到环境空气中。
它的主要成分是有效的导热系数， K，
在印刷电路板，包括相邻器件和迹线。
从通过该装置的情况下，R的模辐射
θJC
，相对
的R小部分
θJA
。周围空气温度，T
A
和空气
运动是显著的外部因素，通过包覆成型衰减。
不同功率水平的影响（耗散功率，P
D
） ，可以
进行估计。以下式表示的基本
关系来估计Ť
J
在P
D
.
P
D
= V
IN
×
I
IN
T
= P
D
×
R
θJA
T
J
= T
A
+
ΔT
(1)
(2)
(3)
最坏的情况估计，P
D（最大）
，代表了最大允许
能功率电平（V
CC（ MAX）的
, I
CC（ MAX）的
） ，在不超过牛逼
J（下最大）
,
在一个选择的R
θJA
和T
A
.
例如：
可靠性V
CC
在T
A
= 150℃，包LH，使用
最低-K PCB 。
观察该设备，具体来说最坏情况下的评级：
R
θJA
= 228 ° C / W ，T
J
（最大值）= 165℃ ，V
CC
（最大值） = 24伏，并且
I
CC
（最大值） = 4毫安。
计算允许的最大功率电平，P
D
（最大值）。首先，
翻转式3 ：
T
最大
= T
J
（最大值） - T的
A
= 165 °C – 150 °C = 15 °C
这提供了允许增加至T
J
从内部产生
功耗。然后，倒置式（2） ：
P
D
（最大值） -
T
最大
÷ R
θJA
= 15 °〜 228 ° C / W = 66毫瓦
最后，反转方程式1相对于电压：
V
CC （ EST ）
= P
D
（最大值） =我
CC
（最大值）= 66毫瓦÷ 4毫安= 16.4 V
结果表明，在T
A
时，应用程序和设备能
消散在电压足够的热量
≤V
CC （ EST ）
.
比较V
CC （ EST ）
到V
CC
（最大值）。如果V
CC （ EST ）
≤
V
CC
（最大值） ，然后可靠
V之间能够操作
CC （ EST ）
和V
CC
（最大值）要求增强
R
θJA
。如果V
CC （ EST ）
≥
V
CC
（最大值） ，则V之间的合作
CC （ EST ）
和V
CC
（max）是在这些条件下可靠。
例如，给定的通用条件如：T
A
= 25°C,
V
CC
= 12 V，I
CC
= 1.6毫安，且R
θJA
= 165℃/ W，则：
P
D
= V
CC
×
I
CC
= 12 V
×
1.6毫安= 19毫瓦
T
= P
D
×
R
θJA
= 19毫瓦
×
165 ° C / W = 3°C
T
J
= T
A
+
T
= 25°C + 3°C = 28°C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
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