A1391和A1392
微功率3 V线性霍尔效应传感器具有三态输出
以及用户可选择的睡眠模式
这些线性霍尔效应传感器集成电路（IC ）提供的电压输出是
正比于所施加的磁场。扩增前，灵敏度
典型的霍尔效应集成电路（以mV / G测得）是正比于流过的电流
通过集成电路内部的霍尔效应传感器元件。在许多应用中，很难
以达到足够的灵敏度水平与霍尔效应传感器的IC ，而无需耗费更
超过3 mA的电流。的A1391和A1392电流消耗最小化到小于
25
μA
通过增加一个用户可选择的睡眠模式。这使得这些设备per-
FECT对于电池供电的应用中，例如：蜂窝式电话，数码相机和便携式
工具。最终用户可以通过应用控制A1391和A1392的电流消耗
一个逻辑电平信号给¯ ¯ ¯ ¯ ¯销。该器件的输出是无效的（高阻抗
睡觉
¯¯¯
ANCE模式），在睡眠模式。高阻抗输出功能允许的连接
多个A1391和A1392霍尔效应器件的单个模 - 数转换器的输入。
这些设备的静态输出电压是成比例供给的50％额定
施加于器件的VREF引脚参考电压。该装置的输出电压为
不成比例相对于电源引脚。
尽管该电路中的A1391和A1392中，特征为低功耗
需出示高精度线性霍尔效应IC并没有受到损害。
每个BiCMOS单片电路集成了霍尔元件，提高了温度的COM
pensating电路，以降低霍尔元件固有的灵敏度漂移，小信号
高增益放大器和专有动态偏移取消电路。电话那端，后
包装，工厂编程允许装置的灵敏度和偏移的精确控制。
该器件采用小型2.0 ×3.0毫米， 0.75 mm标称高度微型含铅封装
年龄（ MLP ） 。这是Pb（铅）免费，采用100％雾锡电镀引脚框。
包装EH ， 6针MLP / DFN
VCC
OUT
GND
1
2
3
6
5
4
VREF
睡觉
GND
绝对最大额定值
*
电源电压，V
CC
.............................................
8 V
反向电源电压，V
RCC
.......................
–0.1 V
比例式电源参考电压，V
REF
......
7 V
逆向供应成比例
参考电压，V
RREF
.........................
–0.1 V
逻辑电源电压，V
¯¯ ¯ ¯ P
SLEE
¯¯¯
(V
CC
> 2.5V） .............................................. 。
32 V
反向逻辑电源电压，V
ř ¯ ¯ P
.........
–0.1 V
SLEE
¯¯¯¯
输出电压V
OUT
............................
V
CC
+ 0.1 V
反向输出电压，V
大败
......................
–0.1 V
温度
工作环境，T
A
，范围S ....
-20 ° C至85°C
结，T
J（下最大）
.......................................165ºC
存储，T
S
.................................
-65ºC至170ºC
*所有参考地的收视率。
特点和优点
•在休眠模式下的高阻抗输出
•与2.5至3.5 V电源供电
•在主动模式下为10mW的功率消耗
•微型MLP封装
•成比例输出尺度与比例式电源参考电压（ VREF引脚）
•温度稳定的静态输出电压和灵敏度
•宽工作温度范围： -20 ° C至85°C
• ESD保护大于3千伏
•固态可靠性
•预设灵敏度和最终测试偏移
使用订货时以下完整型号：
产品型号
A1391SEHLT-T
A1392SEHLT-T
（MV / G ，典型值）。
灵敏度
包装*
7项。卷轴， 3000件/卷
7项。卷轴， 3000件/卷
1.25
2.50
*联系快板额外的包装选项。
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115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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A1391-DS
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