A3212
微功耗,
超灵敏
霍尔开关
在工作电压和温度范围电气特性(除非
另有规定) 。
范围
特征
电源电压范围
输出漏电流
输出电压上
清醒时间
期
占空比
斩波频率
电源电流
符号
V
DD
I
关闭
V
OUT
t
醒
t
期
特区
f
C
I
DD ( EN )
I
DD ( DIS )
I
DD ( AVG )
芯片清醒(启用)
片上睡着了(已禁用)
V
DD
= 2.75 V
V
DD
= 3.5 V
测试条件
操作
1
V
OUT
= 3.5 V ,B
RPN
< B < B
RPS
I
OUT
= 1毫安, V
DD
= 2.75 V
分钟。
2.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
2.75
<1.0
100
45
45
0.1
340
–
–
5.1
6.7
马克斯。
3.5
1.0
300
90
90
–
–
2.0
8.0
10
10
单位
V
µA
mV
µs
ms
%
千赫
mA
µA
µA
µA
注: 1,操作和释放点,将电源电压而变化。
2. B
OPX
=工作点(输出导通) ; B
RPX
=释放点(输出关闭) 。
3.典型的数据是在T
A
= + 25 ° C和V
DD
= 2.75 V ,并且是唯一的设计信息。
磁特性随工作电压和温度范围内(除非
另有规定) 。
范围
特征
操作要点
符号
B
OPS
B
OPN
释放点
B
RPS
B
RPN
迟滞
B
HYS
测试条件
南极到品牌方
北极牌方
南极到品牌方
北极牌方
|B
OPX
- B
RPX
|
分钟。
–
-55
10
–
–
典型值。
37
-40
31
-34
5.9
马克斯。
55
–
–
-10
–
单位
G
G
G
G
G
注释:1.负磁通密度被定义为小于零(代数公约),即-50 G小于10 G。
2. B
OPX
=工作点(输出导通) ; B
RPX
=释放点(输出关闭) 。
3.典型的数据是在T
A
= + 25 ° C和V
DD
= 2.75 V ,并且是唯一的设计信息。
4. 1高斯( G)正好等于0.1毫特斯拉( mT)表示。
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000