A4982
DMOS细分驱动器与翻译
和过流保护
过电流状态存在。这导致驱动程序进入
固定关断时间周期。后固定关断时间结束的司机
再次打开，并重复该过程。在该状态下，驱动
防止过流事件，但短期完全保护
是重复的以周期等于驱动器的固定关断时间。
此状态示于图5中。
如果驱动程序在混合衰减模式下操作，这是正常的
正电流到尖峰，由于桥将在所述换
病房方向，然后在负方向上，作为其结果
由混合衰减功能实现的方向变化。这
示于图6。在这两种情况下的过电流的电路是
保护司机和防止损坏器件。
DAC输出降低了V
REF
输出电流检测
比较精确的步骤，这样，
I
旅
= (%I
TripMAX
/ 100)
×
I
TripMAX
（见表2 ％I
TripMAX
在每一个步骤）。
至关重要的是，在最大额定值（ 0.5V）的SENSE1和
SENSE2销不超标。
固定关断时间。
内部PWM电流控制电路
使用一个单触发电路，以控制的时间，该持续时间
DMOS场效应管保持关闭状态。在关断时间，叔
关闭
，由确定
ROSC端子。在ROSC端子有三种设置：
▪
ROSC接到VDD - 关断时间内部设定为30
μs,
衰变
模式除了在整步就是当自动混合衰减
衰减模式设置为慢速衰减
▪
ROSC直接连接到地面 - 关断时间内部设定为
30
μs,
电流衰减设置成混合衰减为提高
和减小电流，除了在全步骤，其中衰减模式
设置为慢速衰减。 （见低电流细分部分。 ）
▪
ROSC通过一个电阻接地 - 关断时间确定
由下式中，衰减模式是自动混合
腐烂的所有步进模式。
t
关闭
≈
R
OSC
⁄
825
其中T
关闭
在
μs.
电荷泵
（ CP1和CP2 ） 。
电荷泵用来
生成的栅极供给比VBB的更大的驱动
源端FET栅极。 A 0.1
μF
陶瓷电容器时，应
连接CP1和CP2之间。此外， 0.1
μF
陶瓷的
电容是必需的VCP和VBB之间，以充当储
经营高侧FET栅极。
电容值应该是2级绝缘± 15 ％以内，
或耐受R，根据EIA （美国电子工业协会）
特定连接的阳离子。
吃水槽边FET输出。在VREG引脚必须脱钩
用0.22
μF
陶瓷电容器接地。 V
REG
在内部
监测。在故障条件的情况下， FET的输出
A4982是禁用的。
电容值应该是2级绝缘± 15 ％以内，
或耐受R，根据EIA （美国电子工业协会）
特定连接的阳离子。
¯ ¯ ¯ ¯¯ ¯
使能输入
(
¯ ¯ ¯ ¯ ¯¯
)
.
该输入打开或关闭所有的
启用
FET输出。当设定为逻辑高时，输出被禁止。
当设置为逻辑低电平时，内部控制，能够使输出作为
所需。译者输入STEP， DIR ， MS1 ， MS2和，以及
作为内部序列的逻辑，都保持有效的，独立的
¯ ¯ ¯ ¯¯¯
在¯ ¯ ¯ ¯ ¯ ¯输入状态。
启用
V
REG
（ VREG ）
.
这种内部产生的电压用于能操作
消隐。
这个功能空白的电流检测输出
比较器当输出由内部电流交换
控制电路。所述比较器的输出被消隐，以防止
假过流检测，由于反向恢复电流
钳位二极管，以及与所述电容开关瞬变
的负荷。空白时间t
空白
（微秒） ，大约是
t
空白
≈
1
μs
短路负载和短路到接地保护。
如果电动机引线被短接在一起，或者如果导线之一是
对地短路，司机会保护自己通过检测
过流事件，并禁用了短路的驱动程序，保护─
荷兰国际集团从损坏的设备。在一个短到地面上，所述壳体
LEEP
¯¯¯
设备将保持关闭（锁定），直到在S ¯ ¯ ¯输入变
高或VDD电源被移除。短到地过流
事件显示于图4 。
或欠压（上VCP ） ，在A4982的FET输出
禁用，直到故障排除为止。在上电时，
当两个输出端被短接在一起时，电流路径是
通过检测电阻。截止时间后（ ≈1
μs)
到期时， UVLO （欠压锁定）电路将禁用FET输出
感测电阻器的电压超过它的跳闸值时，由于
并重置转换到主状态。
关机。
在出现故障，过热（过量T中事件
J
)
Allegro MicroSystems公司
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马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
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9
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