A6800/A6801
DABiC - 5锁存灌电流驱动器
在A6800和A6801锁存输入BiMOS IC的合并大电流，
高压输出与CMOS逻辑。 CMOS输入部分CON-
4个或8个数据（ “D”型） sists锁存器相关的常见清楚，
频闪，和输出使能电路。电源输出
双极NPN达林顿。这种合并技术提供通用的，
fl
灵活的接口。这些公司BiMOS电源接口IC大大获益科幻吨的
计算机或微处理器的I / O简化网络连接的阳离子。每个A6800芯片
包含四个锁存驱动程序。 A6801芯片包含8锁存驱动程序。
该CMOS输入与标准CMOS电路兼容。 TTL
电路可能会指定另外输入上拉电阻。双极
达林顿输出适用于直接驱动许多外围设备/
功率负载：继电器，灯，电磁阀，直流小电机等
所有器件都具有集电极开路输出和积分二极管，电感
略去负载瞬态抑制。输出晶体管能够
下沉600毫安并能承受至少为50伏，在关断状态。
由于在封装功耗的限制，同时
所有驱动程序的最大额定电流的操作只能是accom-
通过在工作周期的降低plished 。输出可以并联，
更高的负载电流能力。
该A6800SA被布置在一个标准的14引脚DIP ;在A6800SL和
A6801SLW在表面安装SOIC封装;在一个22针的A6801SA
DIP与0.400 “ （10.16 MM）行中心;在一个28引脚的A6801SEP
PLCC 。这些器件无铅（Pb ）免费，采用100％雾锡电镀
引线框架。
数据表
26180.110
A6800SA
A6800SL
A6801SA
A6801SEP
A6801SLW
绝对最大额定值
输出电压V
CE
............................................50
V
电源电压，V
DD
.............................................7
V
输入电压范围，V
IN
..............–0.3
V到V
DD
+0.3 V
连续集电极电流，I
C
........................
600毫安
封装功耗，P
D
,
SEE
允许功率
Disspation图，第5页
工作温度范围
环境温度，T
A
............–20°C
至+ 85°C
贮藏温度，T
S
..........–55°C
至+ 150°C
特点
3.3 V至5 V逻辑电源电压范围
到10 MHz的数据输入速率
高电压，大电流输出
达林顿电流沉输出，
改进的低饱和电压
CMOS ， TTL兼容的输入
输出瞬态保护
内部下拉电阻
低功耗CMOS锁存
应用
继电器
灯
产品型号
引脚
14
14
22
28
24
螺线管
小型直流电机
包
DIP
SOIC
DIP
PLCC
SOIC
使用订货时以下完整型号：
A6800SA-T
A6800SL-T
A6801SA-T
A6801SEP-T
A6801SLW-T
注意： CMOS器件具有输入静态保护，
但是当暴露于容易受到损伤
极高的静电电荷。
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