吴RS
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CH到
它拉
SW EGU
R
STR-A6131
和
STR-A6132
120 V / 12或16 W
反激式开关稳压器
在STR- A6131和STR - A6132是中华人民共和国的拓扑结构（固定关断时间）
稳压器专门设计来满足需求，从而延长
集成度和可靠性在反激转换器。它们集成了
主要的控制和驱动电路雪崩额定功率
的MOSFET。在STR- A6132具有更高的开关电流和
雪崩能量等级和较低的导通电阻。
覆盖功率范围从低于12瓦到16瓦特为120
VAC输入，这些设备可以在各种应用中使用，从
DVD和VCR播放机到AC适配器，手机和数码
摄像机。自动待机功能，降低功耗光
负载，而多重保护功能，包括雪崩能量瓜拉尼
开球的MOSFET ，提供系统设计的高可靠性。
逐周期电流限制，欠压锁定与hyster-
ESIS ，过压保护和热关断保护电源
在正常的过载和故障条件的供应。过压
保护和热关断在短暂的延迟后锁定。该
锁存器可以通过循环输入电源复位。低启动电流和
从次级电路中的低功耗待机模式完成
一套全面的功能。两款器件均采用8引脚提供
微型DIP塑料封装。
特点
和
好处
■
坚固耐用的500 V雪崩额定MOSFET
简体浪涌吸收
无V
DSS
降额要求
■
选择
r
DS （ ON）
(2.62
Ω
或3.95
Ω
最大）
■
两种工作模式由自动切换：
中国模式的正常运行
突发模式供备用操作或轻负载
■
内置前沿消隐
■
低启动电流
启动电路中的禁用操作
■
低工作电流（ 1.5毫安典型值）
■
自动突发待机（间歇操作）
输入功率<0.1瓦，空载
- 续
通过完整的部件号总是订货，例如，
STR-A6131
.
数据表
28103.21*
绝对最大额定值
在T
A
= +25°C
控制电源电压，V
CC
. . . .
35 V
漏极 - 源极电压V
DSS 。 。 。 。 。 。
500 V
排水开关电流，I
D
STR- A6131 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
3.2 A*
STR- A6132 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4.0 A*
漏极峰值开关电流，我
DM
STR- A6131 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
3.2 A
STR- A6132 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
4.0 A
单脉冲雪崩能量E
AS
STR- A6131 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
32兆焦耳
STR- A6132 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
78兆焦耳
启动引脚电压范围，
V
启动
. . . . . . . . .
-0.3 V至+600 V
OCP电压范围，
V
OCP
. . . . . . . . . . . .
-0.5 V至6 V
FB / OLP电压范围，
V
FB / OLP
. . . . . . . . . .
-0.5 V至+10 V
封装功耗，P
D
控制（V
CC
× I
CC （ON）的
) . . . . .
0.15 W
MOSFET （V
DSS
× I
D
) . . . . . .
1.35 W
总。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
1.5 W
MOSFET沟道温度，T
J
.
+150°C
内部框架温度，T
F
. . . .
+125°C
工作温度范围，
T
A
. . . . . . . . . . .
-20 ° C至+ 125°C †
存储温度范围，
T
S
. . . . . . . . . . . .
-40°C至+ 125°C
*开关漏电流是由温限制
perature （ 2页）和安全工作区
（第4页） 。
†对于部分满足的可用性-40°C
要求，联系Allegro的销售代表中
对准焦点。
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