STR-S6411
和
STR-S6411F
OFF- LINE开关稳压器
- 与功率MOSFET输出
漏
1
LATCH
OSC 。
数据表
28101.1
来源
2
门
动力
地
软
开始
过电流
保护
V在
3
PWM
+
4
+
这些设备被专门设计用于满足要求
为提高集成度和可靠性，在离线反激（ STR- S6411 ）
转发（ STR- S6411F ）转换器在一个固定频率工作
PWM模式。每个器件都集成了主要的控制和驱动
电路的雪崩额定的高压功率MOSFET 。关键
系统参数，如开关频率和最大占空比
循环是生产过程中固定。在STR- S6411和STR- S6411F
不同之处仅在其最大占空比。控制电路去耦和
布局在每个设备中的优化。
逐周期和平均电流限制，软启动，欠压
欠压锁定与滞后和热关断保护
在所有正常和过载条件下的设备。的性能和
这些设备和它们的可变频率对应的可靠性，
已被证明在显着量的生产。
高介电隔离和低瞬态的要求
热阻抗和稳态热阻都满足了
一个超模压， 9针单列直插式封装的功率。
5
6
7
UVLO
REF 。
信号
地
FDBK
8
9
DWG 。 PK- 003
绝对最大额定值
电源电压，V
IN
............................
35 V
漏极 - 源极电压V
DS
...............
800 V
漏电流，我
D
连续.....................................
±
5 A
单脉冲，T
w
≤1
女士..................
±
20 A
雪崩能量E
A
单脉冲...............................
400毫焦耳
栅源电压，V
GS
................
±
20 V
栅极驱动电流范围，
I
G
.................................
-0.7 A到+1.5一个
过流保护电压范围，
V
OCP
.............................
0.3 V至4.0 V
绝缘电压有效值，
V
WM （ RMS ）
.....................................
2000 V
封装功耗，
P
D
........................................
请参阅图表
FET通道温度，T
J
......
+150
°
C
内部框架温度，T
F
...
+125
°
C
工作温度范围，
T
A
...............................
-20
°
C至+ 125
°
C
存储温度范围，
T
英镑
.............................
-30
°
C至+ 125
°
C
D
S
I
O
C
T
N
D
E
N
U
E
N
ER
I
特点
s
输出功率为250W的
R
P
U
Y
D
L
O
N
O
T
C
E
C
s
PWM反激式转换或正向转换
s
脉冲由脉冲电流限制
s
固定频率100 kHz的PWM
s
雪崩额定功率MOSFET开关
s
软启动
—
F
R
O
R
F
E
s
内部欠压锁定和热关断
s
低外部元件数量
s
超模压SIP与隔离散热器
通过完整的部件号总是命令：
STR-S6411
or
STR-S6411F
.
™
ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
