5810-F
UCN5810AF
OUT
8
OUT
7
OUT
6
时钟
地
逻辑
供应
频闪
OUT
5
OUT
4
1
2
3
锁存器
4
5
6
7
8
9
V
DD
ST
CLK
注册
注册
锁存器
BLNK
13
12
11
10
消隐
OUT
1
OUT
2
OUT
3
V
BB
15
14
18
17
16
OUT
9
OUT
10
串行
数据输出
负载
供应
串行
DATA IN
采用BiMOS II 10位串行输入，锁存
与ACTIVE- DMOS下拉功能源极驱动器
该UCN5810AF ， UCN5810EPF和UCN5810LWF结合一个10位
CMOS移位寄存器及相应的数据锁存器，控制电路，双极型
源输出与DMOS主动下拉电阻。设计主要是为了推动
真空荧光显示器， 60 V和-40 mA的输出额定值也让
这些设备中的许多其他外围功率驱动器应用程序中使用。
该UCN5810AF / EPF / LWF功能降低电源要求（主动
DMOS下拉电阻）和更低的饱和电压时，与比较
原来UCN5810A 。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接连接与
基于微处理器的系统。采用5 V电源，它们将运行到
至少3.3兆赫。在12V，更高的速度也是可能的。使用带有TTL可能
需要适当的上拉电阻，以确保输入的逻辑高。
CMOS串行数据输出使级联的应用
需要附加驱动线路。类似的装置可以作为该
UCN5811A （12位） ， UCN5812AF / EPF （20比特），和UCN5818AF / EPF （32
位）。
该UCN5810AF / EPF / LWF输出源驱动器是NPN达林顿
可输出高达40毫安。该DMOS主动下拉都可以
下沉高达15 mA的电流。对于数字间消隐，所有的输出驱动器的可
是残疾人和DMOS下沉司机打开的消隐输入
高。
该UCN5810AF配在一个18脚双列直插式塑料封装。
该UCN5810EPF被布置在一个20引脚塑料芯片载体。该
UCN5810LWF拥有一种宽体小外形塑料封装
（ SOIC ）与鸥翼引线。铜引线框架，降低了供电电流
要求，并降低输出饱和电压允许所有设备，源
所有输出25毫安不断，在整个工作温度
范围内。所有器件也可用于-40 ° C至+ 85°C的操作。
如需订购，从“世界环保组织”到“ UCQ ”更改前缀。
数据表
26182.24C
DWG 。 PP- 029
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
逻辑电源电压，V
DD
.....................
15 V
驱动器电源电压，V
BB
....................
60 V
连续输出电流范围，
I
OUT
..........................
-40 mA至15毫安
输入电压范围，
V
IN
........................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，P
D
（ UCN5810AF ） ...........................
2.27 W*
（ UCN5810EPF ） ........................
1.78 W*
（ UCN5810LWF ） ........................
1.56 W*
工作温度范围，
T
A
..................................
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
................................
-55
°
C至+150
°
C
*线性降容为0瓦， + 150°C 。
特点
I
高速源驱动
I
60 V最小
输出故障
I
更换改进
对于TL4810B
I
低输出饱和电压
I
低功耗CMOS逻辑器件
和锁存器
I
至3.3 MHz的数据输入速率
I
DMOS主动下拉电阻
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
注意， UCN5810AF （双列直插式封装）
和UCN5810LWF （小外形集成电路封装）是
电相同的，都有一个共同的销
号分配。
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5810AF
.
ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
