5818-F
UCN5818EPF
串行
数据输出
负载
供应
逻辑
供应
串行
DATA IN
OUT
30
OUT
31
OUT
32
OUT
1
OUT
2
NC
OUT
3
采用BiMOS II 32位串行输入，锁存
与ACTIVE- DMOS下拉功能源极驱动器
主要设计用于真空荧光显示屏，
UCN5818AF和UCN5818EPF智能电源采用BiMOS II驱动程序相结合
CMOS移位寄存器，数据锁存器和控制电路，具有双极性的高
采购的速度输出和DMOS主动下拉电路。在高
高速移位寄存器和数据锁存允许直接连接与microproces-
感器的LSI的系统。 CMOS串行数据输出允许级联连接
系统蒸发散在需要附加驱动线路的应用。两款器件均具有
60 V和-40 mA输出的收视率，让他们可以在许多其他使用
外围功率驱动器应用。
这些智能功率驱动器的设计与采用BiMOS II逻辑
提高数据录入速度。采用5 V电源，它会运行到至少3.3
兆赫。在12V，更高的速度也是可能的。使用这些设备的TTL
可能需要使用适当的上拉电阻，以确保输入的逻辑
高。所有设备都可以在环境温度范围内操作 -
20 ° C至+ 85°C 。该UCN5818AF是在一个40引脚塑料双列直插提供
包0.600" （15.24 MM）行间距。铜引线框架，减少
供电电流要求，以及低输出饱和电压许可证
操作以最小的结温升高。在' A'包允许
所有32个输出在-25毫安不断在工作操作
温度范围。
用于高密度封装的应用中， UCN5818EPF配
在一个44引脚塑料芯片载体（四组）表面安装焊料
土地与0.050" （1.27 MM）中心。该PLCC允许-25 mA连续
所有输出的同时，在环境温度至60℃的操作。
类似的设备可作为UCN5810AF / LWF （10位） ， UCN5811A
（12位） ，和UCN5812AF / EPF （20位）。
数据表
26182.28C
V
DD
44
43
V
BB
42
41
40
6
3
5
4
2
1
OUT
29
7
8
9
10
注册
注册
锁存器
2
39
38
37
36
OUT
4
锁存器
11
12
13
14
15
16
OUT
19
17
35
34
33
19
32
31
30
OUT
13
NC
OUT
8
BLNK
29
CLK
ST
20
27
OUT
14
18
23
19
24
25
消隐
21
地
22
OUT
17
频闪
OUT
15
26
NC
OUT
18
OUT
16
时钟
NC
28
DWG 。 PP- 059-2
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
逻辑电源电压，V
DD
.................... 15 V
驱动器电源电压，V
BB
................... 60 V
连续输出电流，
I
OUT
.........................
-40 mA至15毫安
输入电压范围，
V
IN
.......................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，P
D
(UCN5818AF)
............................ 3.5 W*
(UCN5818EPF)
......................... 2.7 W†
工作温度范围，
T
A
.................................
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
...............................
-55
°
C至+150
°
C
*降容在28毫瓦率/ ° C以上牛逼
A
= +25°C
†减额在22毫瓦率/ ° C以上牛逼
A
= +25°C
特点
I
I
I
I
I
60 V电源输出
高速源驱动
至3.3 MHz的数据输入速率
低输出饱和电压
DMOS主动下拉电阻
I
低功耗CMOS逻辑器件
和锁存器
I
降低电源电流
需求
I
改进的替代品
SN75518N/FN
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5818EPF 。
ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
