5821
和
5822
采用BiMOS II 8位串行输入，
锁存驱动程序
双极和MOS技术的合并组合使
这些设备超出标准范围的接口灵活性
逻辑缓冲器和功率驱动器阵列。该UCN5821A ，
UCN5821LW ， UCN5822A和UCN5822LW各有一个
8位CMOS移位寄存器和CMOS控制电路，八
CMOS数据锁存器和八个双极电流吸收达林顿
输出驱动器。该UCN5821A / LW和UCN5822A / LW是
唯一不同的额定输出电压。
采用BiMOS II器件具有高得多的数据输入速率比
原来采用BiMOS电路。采用5 V逻辑电源，他们将
典型地优于5兆赫。与12 V电源，
显著更高的速度而异。该CMOS输入
与标准CMOS和NMOS逻辑电平兼容。 TTL
电路可能需要使用适当的上拉电阻。通过
利用串行数据输出端，所述驱动器可以被级联为
接口应用需要附加驱动线路。
该UCN5821 / 22A都拥有一个标准的16引脚塑料
DIP ;在UCN5821 / 22LW在一个16引脚宽体SOIC封装的
表面贴装应用。该UCN5821A也可用于
操作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。如需订购，从更改前缀
“世界环保组织”到“ UCQ ” 。
数据表
26185.12E
时钟
串行
DATA IN
逻辑
地
逻辑
供应
串行
数据输出
频闪
产量
启用
动力
地
1
2
3
4
5
6
7
8
CLK
16
15
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
OUT
8
移位寄存器
14
锁存器
V
DD
13
12
11
10
9
ST
OE
子
DWG 。 PP- 026A
需要注意的DIP封装和SOIC封装的
电相同的并共享公共端
数分配。
绝对最大额定值
在25
°
Ç自由空气的温度
输出电压V
OUT
UCN5821A & UCN5821LW .....
50 V
UCN5822A & UCN5822LW .....
80 V
逻辑电源电压，V
DD
.............
15 V
输入电压范围，
V
IN
..................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
连续输出电流，
I
OUT
.....................................
500毫安
封装功耗，P
D
封装代码“A” ..................
2.1 W
封装代码“ LW ” ...............
1.5 W
工作温度范围，
T
A
............................ -20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
.......................... -55
°
C至+150
°
C
注意： CMOS器件具有输入静态保护
但是当暴露于容易受到损伤
极高的静电电荷。
特点
I
至3.3 MHz的数据输入速率
I
CMOS ， NMOS ， TTL兼容
I
内部下拉电阻
I
低功耗CMOS逻辑&锁存
I
高压电流吸收输出
I
汽车有能力
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5821A
.
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