5910
HIGH- VOLTAGE采用BiMOS III
10位串行输入，锁存驱动程序
OUT
8
OUT
7
OUT
6
时钟
逻辑
地
逻辑
供应
频闪
动力
地
OUT
5
OUT
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20
19
OUT
9
OUT
10
注意，双列直插式封装（指示符
“A” ）和小外形集成电路封装（代号
' LW '）电相同的，并且共享一个
常见的终端数量分配。
绝对最大额定值
在T
A
= 25
°
C
逻辑电源电压，V
DD
................
15 V
驱动器电源电压，V
BB
UCN5910A / LW .........................
150 V
后缀“-2” .................................
140 V
连续输出电流范围，
I
OUT
.......................
-30 mA至40毫安
输入电压范围，
V
IN
....................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，P
D
.
请参阅图表
工作温度范围，
T
A
...............................
-20
°
C至+ 85
°
C
存储温度范围，
T
S
..............................
-55
°
C至+150
°
C
注意： CMOS器件具有输入静态
保护，但很容易受到损坏时
暴露在极高的静电
收费。
T
C
ü ÿ
平负
0：N
R 0
P·E
D C
简
ü ê
IN ER
五六
否E
Ø ř
C R
为O
D F
—
V
BB
18
17
16
锁存器
负载
供应（ 6-10 ）
串行
数据输出
串行
DATA IN
CLK
注册
注册
锁存器
子
该UCN5910x结合了10位CMOS移位寄存器和所附
数据锁存器，控制电路，高压双极采购与输出
DMOS主动下拉电阻。设计主要是用于驱动喷墨和piezoelec-
TRIC打印机，大型平板真空荧光或交流等离子显示器中，
140 V或150 V和
±50
电流输出额定值也允许使用这些设备
在许多其它外围功率驱动器应用。较低的成本（后缀
“-2” ）装置是相同的，除了输出电压额定值的基本设备。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接接口与微
基于处理器的系统。采用5 V逻辑电源，串行数据输入速率
通常超过5兆赫，具有显著更高的速度为12 V.索取
使用带有TTL可能需要适当的上拉电阻，以确保输入逻辑
高。
CMOS串行数据输出使级联的应用
需要附加驱动线路。类似设备用于高达60伏的操作是
可在10，12 ，20，和32位的构型。
该UCN5910A / LW输出源极驱动器能够NPN达林顿
采购至少40毫安。该DMOS主动下拉都能够下沉
至少为30毫安。对于数字间消隐，所有的输出驱动器可以是
残疾人和DMOS下沉司机被消隐输入高电平接通。
该UCN5910A和UCN5910A -2都配备了20针的双列直插
塑料封装。表面贴装UCN5910LW和UCN5910LW -2
布置在一个宽体小外形塑料封装（ SOIC ）与鸥翼
导致。铜引线框架，降低电源电流的要求，并降低
输出饱和电压，使所有设备在运行
±20
毫安所有
输出（ 50 ％占空比） ，在环境温度低于+ 30℃ ，或在
±15
mA
至+ 55°C 。
数据表
26182.2A
V
DD
ST
BLNK
15
V
BB
14
13
消隐
负载
供应（ 1-5）
OUT
1
OUT
2
OUT
3
12
10
11
DWG 。 PP- 029-14
特点
s
高速源驱动
s
140 V（后缀“-2” ）或150 V
最小输出故障
s
更换改进
对于TL4810B
s
s
s
s
低输出饱和电压
低功耗CMOS逻辑电路和锁存
至3.3 MHz的数据输入速率
DMOS主动下拉电阻
初步信息
（如有更改，恕不另行通知）
2000年1月18日
通过完整的部件号总是订货，例如，
UCN5910A-2
.
ALLEGRO [ ALLEGRO MICROSYSTEMS ]
