欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AA032P1-00 参数 Datasheet PDF下载

AA032P1-00图片预览
型号: AA032P1-00
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 30-36 GHz的砷化镓MMIC功率放大器 [30-36 GHz GaAs MMIC Power Amplifier]
分类和应用: 放大器射频微波功率放大器
文件页数/大小: 2 页 / 166 K
品牌: ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
 浏览型号AA032P1-00的Datasheet PDF文件第2页  
30-36 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
AA032P1-00
特点
2.415
1.929
1.099
0.597
0.000
0.000
0.120
0.107
1.143
2.179
2.285
1.937
1.099
0.597
I
单栅极和漏极偏见
I
25 dBm的典型P
1分贝
输出功率
在31 GHz的
I
11分贝典型小信号增益
I
0.25
µm
钛/钯/金·盖茨
I
100 %晶圆RF和DC测试
I
100 %目视检查,以MIL -STD- 883
MT 2010
芯片大纲
1.143
描述
阿尔法的两级被动匹配的Ka波段砷化镓
MMIC功率放大器具有典型的P
1分贝
25 dBm的带
10分贝相关的增益和15 %的功率附加效率
在31千兆赫。该芯片采用Alpha的探明
0.25
µm
MESFET的技术,并且是基于MBE法
层和电子束光刻的最高
的均匀性和可重复性。场效应管采用表面
钝化,确保坚固耐用,可靠,部分
基板贯通过孔和金基背侧
金属化,以方便焊料或环氧树脂芯片粘接
流程。单栅极和漏极偏置垫既包括
阶段,随着更多便利,该芯片可
引线键合,从两侧对任一偏压。所有芯片都
筛选增益,输出功率,效率和S
参数在发货前保证了性能。
同时存在于军事上广泛的应用范围和
商业领域的高功率和增益
所需。
2.166
尺寸以毫米。
所有的直流电压(V )垫是0.1 ×0.1毫米, RF输入,输出垫0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
绝对最大额定值
特征
工作温度(T
C
)
存储温度(T
ST
)
偏置电压( V
D
)
在功率(P
IN
)
结温(T
J
)
价值
-55 ° C至+ 90°C
-65 ° C至+ 150°C
7 V
DC
22 dBm的
175°C
电气规格在25 ° C( V
DS
= 6 V, V
GS
= -1 V)
参数
漏电流(饱和)
小信号增益
输入回波损耗
输出回波损耗
1 dB增益压缩输出功率
饱和输出功率
增益饱和
阻力
1
F = 30-31 , 34-36 GHz的
F = 30-31 , 34-36 GHz的
F = 30-31 , 34-36 GHz的
F = 31 GHz的
F = 31 GHz的
F = 31 GHz的
条件
符号
I
DS
G
RL
I
RL
O
P
1分贝
P
SAT
G
SAT
Θ
JC
24
25
8
分钟。
典型值。
2
400
11
-7
-8
25
27
8
42
-6
-6
马克斯。
450
单位
mA
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
° C / W
基于离散FET的测量1.计算值。
2.典型代表整个指定的位数参数值
频率范围的中位数芯片。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更,恕不另行通知。 12 / 99A
1