砷化镓IC控制用FET系列DC- 2.5 GHz的
AF002C1-39 ， AF002C4-39
典型性能数据（ 0 ， -5 V ）
0.8
0.7
50
45
40
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C4
C1
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C4
C1
插入损耗（dB ）
频率（GHz ）
隔离度（dB ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
系列CON组fi guration
隔离与频率的关系
系列CON组fi guration
0.8
0.7
30
25
插入损耗（dB ）
0.6
隔离度（dB ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
C1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C4
20
C4
15
10
5
0
C1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
分流器配置
隔离与频率的关系
分流器配置
绝对最大额定值
AF002C1-39
特征
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
价值
2 W > 500兆赫0 / -8 V
0.5瓦@ 50MHz的0 / -8 V
+0.2 V, -10 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
AF002C4-39
特征
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
价值
12 W > 450 MHz时， 0 / -12 V
+0.2, -12 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
注：超过这些参数可能会造成不可逆的损伤。
2
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