砷化镓IC控制用FET系列
DC- 2.5 GHz的
AF002C1-39 ， AF002C4-39
特点
s
低成本SOT- 23封装
s
串联或并联配置
s
低直流漏电流
s
理想的开关积木
s
PIN二极管替换
s
高功率天线开关
SOT-23
0.120 (3.05 mm)
0.110 (2.79 mm)
3
0.018 (0.45 mm)
0.015 (0.38 mm)
0.055 (1.40 mm)
0.047 (1.19 mm)
0.024 (0.61 mm)
0.018 (0.45 mm)
0.080 (2.03 mm)
0.070 (1.78 mm)
0.007 (0.18 mm)
0.003 (0.08 mm)
1
2
0.104 (2.64 mm)
0.083 (2.10 mm)
0.040 (1.02 mm)
0.037 (0.94 mm)
描述
本组的GaAs FET的控制可以同时使用
串联和并联配置。他们结合片
电路，该电路消除了对额外的偏压
部件和减少功耗，以通常为25 μW 。
这些特性使该器件非常适用于替换
PIN二极管，其中，低直流漏极是至关重要的。
绝缘性能下降时，由于较高的频率
封装寄生效应。它们可以在狭窄调谐出
所示的电路例子频带应用
以下页面。
0.027 （ 0.69毫米） REF 。
0.004 (0.10 mm)
0.0005 (0.01 mm)
0.045
(1.14 mm)
0.035
(0.89 mm)
在25 ° C电气规格（ 0 ， -5 V ）
产品型号
1
AF002C1-39
频率
2
（千兆赫）
DC- 0.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
AF002C4-39
DC- 0.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
Ω
R
ON
(Ω
)
3
典型值。
6.4
6.4
6.4
0.8
0.8
0.8
马克斯。
9.0
9.0
9.0
1.1
1.1
1.1
插入损耗（dB ）
4,5
系列
0.50
0.60
0.70
0.20
0.25
0.30
分流
0.10
0.15
0.20
0.15
0.25
2.00
C
关闭
（PF ）
6
典型值。
0.13
0.13
0.13
1.10
1.10
1.10
马克斯。
0.25
0.25
0.25
1.50
1.50
1.5
隔离度（dB ）
5
系列
25
17
13
11
6
3
分流
12
8
3
15
9
4
P
1分贝
(W)
典型值。
0.5
1.0
1.0
6
10
10
在25 °C工作特性（ 0 ， -5 V ）
参数
开关特性
控制电压
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
V
低
= 0〜 -0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= -5V @ 50 μA至-9 V @ 200 μA（最大值） 。
频率
分钟。
典型值。
6
12
马克斯。
单位
ns
ns
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
3. R
ON
- 电阻
Ω
在低阻抗状态时为“0” V施加到栅极（G）。
通过0.003分贝/°C的4插入损耗变化。
5.插入损耗和隔离的典型值。
6. C
关闭
- 电容（ pF）的高阻抗状态时-5 V施加到栅极（G） 。
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1
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