低噪声/中功率
砷化镓MESFET芯片
AFM04P3-212 ， AFM04P3-213
特点
s
低噪声系数为0.6 dB的4 GHz的
s
20 dBm的输出功率@ 18 GHz的
s
关联度高增益13 dB的4 GHz的
s
高功率附加效率25 ％
s
宽带运营， DC- 26 GHz的
s
可在磁带和卷轴包装
来源
212
门
漏
来源
门
来源
漏
213
来源
描述
该AFM04P3-212 213是高性能的功率
具有0.25的栅极长度的GaAs MESFET芯片
µm
和
400总闸周边
µm.
这些器件具有
出色的增益，并通过26 GHz的动力性能，
使得它们适用于范围广泛的商业和
军事应用的振荡器和放大器电路。他们
还具有优异的噪声性能，可用于
中的低噪声放大器的设计，第一和第二阶段。
该AFM04P3采用的Ti / Pd / Au的门和金属
表面钝化，保证坚固耐用，可靠的组成部分。
绝对最大额定值
特征
漏源极电压（V
DS
)
门源电压（V
GS
)
漏电流（I
DS
)
栅极电流（I
GS
)
总功率耗散（ P
T
)
存储温度（T
ST
)
通道温度（T
CH
)
价值
6V
-4 V
I
DSS
1毫安
700毫瓦
-65到+ 150°C
175°C
电气规格在25℃
参数
饱和漏极电流（I
DSS
)
跨导（GM ）
夹断电压（V
P
)
栅漏击穿
电压（V
BGD
)
噪声系数（ NF）
相关的增益（G
A
)
1 dB输出功率
压缩（P
1分贝
)
在1 dB压缩增益（G
1分贝
)
功率附加效率（ ηadd ）
测试条件
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V，I
DS
= 1毫安
I
GD
= -400
µA
分钟。
90.0
60.0
1.0
8.0
典型值。
140.0
80.0
3.0
12.0
0.6
13.8
20.0
V
DS
= 5 V，I
DS
= 70 mA时， F = 18 GHz的
9.0
25.0
5.0
马克斯。
190.0
单位
mA
mS
-V
-V
dB
dB
DBM
dB
%
V
DS
= 2 V，I
DS
= 25 mA时， F = 4 GHz的
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