AFM06P3-213 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AFM06P3-213
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内容描述：	Ka波段功率GaAs MESFET芯片 [Ka Band Power GaAs MESFET Chips]
分类和应用：	晶体晶体管放大器
文件页数/大小：	3 页 / 29 K
品牌：	ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]

Ka波段功率GaAs MESFET芯片

AFM06P3-212 ， AFM06P3-213

特点

22 dBm的输出功率@ 18 GHz的

关联度高增益， 9分贝@ 18 GHz的

高功率附加效率， 23 ％

宽带运营， DC- 18 GHz的

0.25

µm

钛/钯/金·盖茨

表面钝化

来源

212

门

漏

来源

门

来源

漏

213

来源

描述

该AFM06P3-212 213是高性能的功率

砷化镓MESFET芯片的行业标准陶瓷

微-X封装，具有0.25的栅极长度

µm

AND A

600总闸周边

µm.

这些器件具有

出色的增益，并通过26 GHz的动力性能，

使得它们适用于范围广泛的商业和

军事应用的振荡器和放大器电路。他们

采用的Ti / Pd / Au的门和金属表面

钝化，确保坚固耐用，可靠的组成部分。

绝对最大额定值

特征

漏源极电压（V

)

门源电压（V

)

漏电流（I

)

栅极电流（I

)

总功率耗散（ P

)

存储温度（T

)

通道温度（T

)

价值

-4 V

DSS

1毫安

1.1 W

-65到+ 150°C

175°C

电气规格在25℃

参数

饱和漏极电流（I

DSS

)

跨导（GM ）

夹断电压（V

)

栅漏击穿

电压（V

BGD

)

1 dB输出功率

压缩（P

1分贝

)

在1 dB压缩增益（G

1分贝

)

功率附加效率（ ηadd ）

测试条件

= 2 V, V

= 0 V

= 5 V，I

= 1.5毫安

= 600

µA

分钟。

130.0

90.0

1.0

8.0

典型值。

200.0

120.0

3.0

12.0

22.0

= 5 V，I

= 70 mA时， F = 18 GHz的

9.0

23.0

5.0

马克斯。

270.0

单位

DBM

阿尔法工业公司

[781] 935-5150

•

传真

[617] 824-4579

•

电子邮件

sales@alphaind.com

•

www.alphaind.com

规格如有变更，恕不另行通知。 6 / 99A

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