AFM08P2-000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AFM08P2-000
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	Ka波段功率GaAs MESFET芯片 [Ka Band Power GaAs MESFET Chip]
分类和应用：	晶体晶体管放大器
文件页数/大小：	3 页 / 23 K
品牌：	ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]

Ka波段功率GaAs MESFET芯片

AFM08P2-000

特点

24 dBm的输出功率@ 18 GHz的

高功率附加效率20 ％

宽带运营， DC- 40 GHz的

0.25

µm

钛/钯/金·盖茨

表面钝化

通过衬底通孔接地

芯片厚度= 0.1毫米。

漏

0.110 mm

0.395 mm

关联度高增益， 8.5分贝@ 18 GHz的

门

0.327 mm

0.655 mm

0.110 mm

描述

该AFM08P2-000是一款高性能功率的GaAs

具有0.25的栅极长度的MESFET芯片

µm

和共

800门周边

µm.

该器件具有出色的增益

经过40 GHz和动力性能，使之成为

适合于广泛的商业和军事

应用在振荡器和放大器电路。它采用

钛/钯/金门及金属表面钝化

保证了坚固，可靠的组成部分。基板贯通过孔的孔

被并入到芯片中，以促进低电感

源，以提高高频接地和

高增益性能。

绝对最大额定值

特征

漏源极电压（V

)

门源电压（V

)

漏电流（I

)

栅极电流（I

)

总功率耗散（ P

)

存储温度（T

)

通道温度（T

)

价值

-4 V

DSS

2毫安

1.4 W

-65到+ 150°C

175°C

电气规格在25℃

参数

饱和漏极电流（I

DSS

)

跨导（GM ）

夹断电压（V

)

栅漏

击穿电压（V

BGD

)

1 dB输出功率

压缩（P

1分贝

)

在1 dB压缩增益（G

1分贝

)

功率附加效率（ ηadd ）

1 dB输出功率

压缩（P

1分贝

)

在1 dB压缩增益（G

1分贝

)

功率附加效率（ ηadd ）

热阻（ θ

)

= 5 V，I

= 140 mA时， F = 30 GHz的

BASE

= 25°C

= 5 V，I

= 140 mA时， F = 18 GHz的

测试条件

= 2 V, V

= 0 V

= 5 V，I

= 2.0毫安

= 800

µA

分钟。

175.0

120.0

1.0

8.0

典型值。

265.0

160.0

3.0

12.0

24.0

8.5

20.0

23.0

4.5

10.0

120.0

5.0

马克斯。

360.0

单位

-V

DBM

° C / W

阿尔法工业公司

[781] 935-5150

•

传真

[617] 824-4579

•

电子邮件

sales@alphaind.com

•

www.alphaind.com

规格如有变更，恕不另行通知。 6 / 99A

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案