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AFP02N8-212 参数 Datasheet PDF下载

AFP02N8-212图片预览
型号: AFP02N8-212
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内容描述: 通用包装PHEMT芯片 [General Purpose Packaged PHEMT Chips]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 34 K
品牌: ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
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通用包装PHEMT芯片
AFP02N8-212 , AFP02N8-213
特点
s
低噪声系数,1.55 dB的4 GHz的
s
关联度高增益13 dB的4 GHz的
s
高MAG , > 15分贝@ 4GHz的
s
0.7
µm
钛/钯/金·盖茨
s
表面钝化
s
低成本金属陶瓷封装
s
提供两种引线长度
s
可在磁带和卷轴包装
来源
212
来源
来源
213
来源
绝对最大额定值
特征
价值
6V
-3 V
I
DSS
10
µA
300毫瓦
-65到+ 150°C
175°C
漏源极电压(V
DS
)
门源电压(V
GS
)
漏电流(I
DS
)
栅极电流(I
GS
)
总功率耗散( P
T
)
存储温度(T
ST
)
通道温度(T
CH
)
描述
该AFP02N8-212 213是通用包装
PHEMT芯片,具有优异的增益和噪声
通过X波段的性能,这使得它们适合于
宽范围的商业应用。该器件
采用0.7
µm
钛/钯/金·盖茨和表面钝化
保证了坚固,可靠的组成部分。可在金属陶瓷
包带的二个引线长度的选择。该
组件也磁带和卷轴可用,是
准备自动插入设备。
电气规格在25℃
参数
饱和漏极电流(I
DSS
)
跨导(GM )
夹断电压(V
P
)
门源
击穿电压(V
BGS
)
噪声系数( NF)
相关的增益(G
A
)
测试条件
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V,I
DS
= 15毫安
V
DS
= 2 V,I
DS
- 0.3毫安
I
GS
= -200
µA
分钟。
25.0
30.0
-0.4
-6.0
典型值。
55.0
45.0
-1.2
8.0
1.55
12.0
13.2
2.0
-2.0
马克斯。
90.0
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
V
DS
= 2 V,I
DS
= 15 mA时, F = 4 GHz的
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更,恕不另行通知。 6 / 99A
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