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型号: AO4286
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内容描述: 100V N沟道MOSFET [100V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 334 K
品牌: ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
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AO4286
100V N沟道MOSFET
概述
该AO4286采用沟槽MOSFET技术,是
独特的优化,为客户提供最有效的高
高频开关性能。两者的传导和
开关功率损耗是由于最小化到一个
的R极低组合
DS ( ON)
,西塞和科斯。
该器件非常适合于升压转换器和同步
整流器消费,电信,工业电源
而LED背光源。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
100V
4A
< 68mΩ
< 92mΩ
100 % UIS测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
S
S
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
100
±20
4
3
25
4
0.8
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=70°
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
42
70
20
最大
50
85
30
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 : 2012年11月
www.aosmd.com
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