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型号: AO4886
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内容描述: 100V双N沟道MOSFET [100V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 556 K
品牌: ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]
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AO4886
100V双N沟道MOSFET
概述
该AO4886结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS ( ON)
。这器件是理想的升压
转换器和同步整流器的消费者,
电信,工业电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
100V
3.3A
< 80mΩ
< 91mΩ
100 % UIS测试
100% R
g
经过测试
SOIC-8
顶视图
底部视图
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
Pin1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
100
±20
3.3
2.7
17
14
10
2.00
1.28
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 : 2010年9月
www.aosmd.com
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