AO5804E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO5804E
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内容描述：	双N沟道增强型场\n \n场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 112 K
品牌：	ALPHA [ ALPHA INDUSTRIES ]

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AO5404E

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO5404E采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至1.8V 。这

装置适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

-RoHS标准

特点

(V) = 20V

= 0.5 A （V

= 4.5V)

DS （ ON）

＆ LT ; 0.55

Ω

= 4.5V)

DS （ ON）

< 0.68

Ω

= 2.5V)

DS （ ON）

< 0.80

Ω

= 1.8V)

ESD保护！

SC89-3L

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

10秒

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

A，F

漏电流脉冲

功耗

稳定状态

±8

0.5

0.45

0.28

0.18

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

0.38

0.24

0.5

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

275

360

300

最大

330

450

350

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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