砷化镓集成电路高功率SPDT开关
阳性对照DC- 3 GHz的
AS150-59
特点
I
高线性度( IP3 55 dBm的@ 1.9 GHz的)
I
高隔离度(22 dB的1.9千兆赫)
I
低插入损耗(0.55 dB的1.9千兆赫)
I
低DC功耗
I
正3 V或5 V的电压控制
销1
0.012 (0.30 mm)
+ 0.006 (0.15 mm)
- 0.002 (0.05 mm)
MSOP-8
0.0256 (0.65 MM) TYP 。
销1
指标
0.118 (3.00 mm)
± 0.004 (0.1 mm)
平方米。
0.193 (4.90 mm)
REF 。
描述
该AS150-59是在MSOP - 8的IC FET单刀双掷开关
塑料封装。这个开关被设计成用于
其中,极高的线性度和低插入损耗是
所需。它被控制以正电压消除
需要为负电压。一些标准的实现
包括天线切换,T / R和分集切换
经2 W.The AS150-59开关可以在许多模拟中使用
和数字无线通信系统。
7.0˚
0.038 (0.95 MM) TYP 。
0.030 (0.75 mm)
0.017
(0.43 mm)
0.007 (0.18 mm)
± 0.005 (0.12 mm)
8.0˚
马克斯。
0.006 (0.15 mm)
0.002 (0.05 mm)
0.028 (0.70 mm)
0.016 (0.40 mm)
电气规格在25 ° C( 0 ,+ 5 V)
参数
1
插入损耗
3
频率
2
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
19
18
20
分钟。
典型值。
0.45
0.6
0.9
22
20
23
1.2:1
1.3:1
1.7:1
1.3:1
1.4:1
1.8:1
马克斯。
0.55
0.75
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
工作特性,在25 ° C( 0 ,+ 5 V)
参数
开关特性
5
条件
上升,下降(10 /90%或90 /10% RF)
开,关( 50 % CTL 〜90 /10% RF)
视频馈通
+3 V
+5 V
对于双音输入功率+10 dBm的
1.9 GHz的
1.9 GHz的
1.9 GHz的
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+32
+37
+55
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点( IP3 )
控制电压
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA(最大值) 。
V
高?
+3 V @ 100 μA(最大值) 。至+5 V @ 200 μA(最大值) 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
1,一种在50进行的所有测量
Ω
制,除非另有说明。
2, DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃, 3插入损耗变化。
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
•
传真
[617] 824-4579
•
电子邮件
sales@alphaind.com
•
www.alphaind.com
规格如有变更,恕不另行通知。 10 / 99A
1