砷化镓集成电路高隔离阳性对照
单刀双掷开关DC- 2.5 GHz的
AS164-80
特点
I
正电压控制
I
高隔离度（50 dB的1.9千兆赫）
I
低DC功耗
I
基站合成器开关
SSOP-16
0.025
（ 0.635毫米） TYP 。
PIN码16
0.244 (6.20 mm)
0.228 (5.80 mm)
销1
0.158 (4.00 mm)
0.150 (3.80 mm)
0.197 (5.00 mm)
0.189 (4.80 mm)
描述
该AS164-80是GaAs FET的IC SPDT开关封装
在SSOP -16塑料封装的低成本商用
应用程序。理想的基石基站双频
应用合成器隔离是重要的。用于
与AS165-59 SPST开关，以满足GSM结合
合成器的隔离要求。
0.068
（1.73 mm）最大。
0.0196 X 45˚
倒角
R 0.008
分钟。
R 0.013/0.008
0.0098
(0.0075 mm)
5˚ -15˚
0.010
（ 0.25mm）的典型。
0.010 (0.25 mm)
0.004 (0.10 mm)
8 °最大。
电气规格在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
1
插入
损失
3
频率
2
DC- 1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
DC- 2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
44
32
分钟。
典型值。
0.6
0.8
1.0
50
42
1.3:1
1.5:1
1.5:1
1.8:1
马克斯。
0.8
1.0
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
工作特性，在25 ° C（ 0 ，+ 5 V）
参数
开关特性
5
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 〜90 /10％ RF）
视频馈通
双音输入功率+10 dBm的
0.5-2.5 GHz的
V
低
= 0〜 0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= +3 V @ 100 μA（最大值） 。至+5 V @ 200 μA（最大值） 。
V
S
= V
高
± 0.2 V
频率
分钟。
典型值。
60
100
50
+41
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
Ω
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
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1
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